[发明专利]疏密梯度微结构、疏密梯度微结构的制备方法及磁控开关

权利要求书

1.一种磁控开关，其特征在于：包括疏密梯度微结构，所述疏密梯度微结构包括基体，所述基体上设置有若干阵列区域，各所述阵列区域包括若干均布的微柱，不同的所述阵列区域的所述微柱的间距由所述基体的一端向所述基体的另一端依次增大，所述微柱均具有磁性，所述疏密梯度微结构经均匀磁场进行磁化定向处理，所述疏密梯度微结构位于微流道中，所述微流道位于磁场中，所述微流道的中部设置有进口，所述进口处连接毛细玻璃管，所述微流道的一端为第一出口，所述微流道的另一端为第二出口，所述疏密梯度微结构的基体的一端与所述第一出口对应，所述基体的另一端与所述第二出口对应。

2.根据权利要求1所述的磁控开关，其特征在于：所述微柱的形状为锥形、圆柱或棱柱。

3.根据权利要求1所述的磁控开关，其特征在于：同一所述阵列区域的所述微柱的间距相同。

4.根据权利要求1所述的磁控开关，其特征在于：相邻的所述阵列区域的所述微柱的间距的梯度差值相同。

5.一种权利要求1-4任一项所述的疏密梯度微结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：采用与微柱形状相同的模具在基板上进行逐点制孔，制孔的间距与所述疏密梯度微结构的所述微柱的间距相同；

S2：对制得的孔进行抽真空，并向制得的孔内浇注带有磁性粒子的混合溶液；

S3：再次抽真空，刮去多余的带有所述磁性粒子的所述混合溶液，继续向所述基板上浇注所述混合溶液，形成基体；

S4：将经过S3的所述基板置于恒温箱中进行固化，然后冷冻、脱模，得到所述疏密梯度微结构；

S5：清洗并吹干；

S6：将所述疏密梯度微结构置于均匀磁场中，进行磁化定向。

6.根据权利要求5所述的疏密梯度微结构的制备方法，其特征在于：所述混合溶液与所述磁性粒子的质量比为5:1，所述混合溶液包括预聚物和固化剂，所述预聚物为聚二甲基硅氧烷，所述预聚物和所述固化剂的质量比为10:1。

7.根据权利要求5所述的疏密梯度微结构的制备方法，其特征在于：S4中，将经过S3的所述基板置于恒温箱中55℃固化24小时，取出后置于-50℃的冰箱中冷冻10分钟，之后取出进行脱模处理。

8.根据权利要求5所述的疏密梯度微结构的制备方法，其特征在于：S5中，将所述疏密梯度微结构依次置于正己烷、丙酮和无水乙醇中进行超声清洗，取出后用氮气吹干。

9.根据权利要求5所述的疏密梯度微结构的制备方法，其特征在于：S6中，将所述疏密梯度微结构置于均匀磁场中时，所述疏密梯度微结构的所述微柱的自由端朝向S极，所述微柱的固定在所述基体的一端朝向N极。