[发明专利]非易失性存储器及其控制方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括：

多个存储面，所述多个存储面中的每个包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个连接有字线；

读取电压生成器，配置为生成读取操作电压，

读取通用偏置电压生成器，配置为生成读取通用偏置电压；以及

擦写电压生成器，配置为生成写入/擦除操作电压；

写入通用偏置电压生成器，配置为生成写入通用偏置电压；

开关模块；以及

控制器，所述控制器通过所述开关模块与多个所述存储面中的每个连接，

其中，所述控制器配置为控制所述开关模块，以将所述多个存储面中的至少一个存储面中的被读取的存储器单元的字线与所述读取电压生成器连接，将所述至少一个存储面中的不被读取的存储器单元的字线连接到所述读取通用偏置电压生成器，并将所述多个存储面中的至少另一个存储面中的被写入/擦除的存储器单元的字线与所述擦写电压生成器连接，将所述至少另一个存储面中的不被写入的存储器单元的字线连接到所述写入通用偏置电压生成器。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述读取通用偏置电压生成器设置成多个，多个所述读取通用偏置电压生成器与多个所述存储面一一对应，以分别为各自对应的所述存储面生成读取通用偏置电压。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述读取通用偏置电压生成器设置成单个，单个所述读取通用偏置电压生成器生成用于所述多个存储面的读取通用偏置电压。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述写入通用偏置电压生成器设置成多个，多个所述写入通用偏置电压生成器与多个所述存储面一一对应，以分别为各自对应的所述存储面生成写入通用偏置电压。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述写入通用偏置电压生成器设置成单个，单个所述写入通用偏置电压生成器生成用于所述多个存储面的写入通用偏置电压。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述读取电压生成器设置成多个，多个所述读取电压生成器分别与所述多个存储面对应，并分别提供所述多个存储面中的相应存储面的读取操作所需的读取操作电压。

7.一种非易失性存储器的控制方法，所述非易失性存储器包括多个存储面、读取电压生成器、擦写电压生成器和开关模块，所述方法包括：

向多个存储面中的至少一个存储面发送读取操作指令，并且向所述多个存储面中的至少另一存储面发送写入/擦除操作指令；其中，所述多个存储面中的每个包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个连接有字线；以及

响应于所述读取操作指令和所述写入/擦除操作指令，通过所述开关模块将所述至少一个存储面中的被读取的存储器单元的字线连接到所述读取电压生成器以执行对所述至少一个存储面的读取操作，通过所述开关模块将所述至少一个存储面中的不被读取的存储器单元的字线连接到读取通用偏置电压生成器，以向所述不被读取的存储器单元施加读取通用偏置电压；并且通过所述开关模块将所述至少另一个存储面中的被写入/擦除的存储器单元的字线连接到所述擦写电压生成器以执行对所述至少另一个存储面的写入/擦除操作；

其中，执行对所述至少另一个存储面的写入操作的步骤还包括：

通过所述开关模块将所述至少另一个存储面中的不被写入的存储器单元的字线连接到写入通用偏置电压生成器，以向所述不被写入的存储器单元施加写入通用偏置电压。

8.一种存储器系统，其中，所述存储器系统包括：

存储控制器；以及

一个或多个如权利要求1至6中任一项所述的非易失性存储器，其中，所述存储控制器与所述非易失性存储器耦接并至少用于控制所述非易失性存储器进行读取操作、写入操作或擦除操作。