[发明专利]具有AlN的发光二极管外延片的制备方法

权利要求书

1.一种具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述具有AlN的发光二极管外延片的制备方法包括：

提供一位于磁控溅射装置中的衬底，所述磁控溅射装置中的靶材的表面与所述衬底的表面正对且相互平行，所述靶材的表面与所述衬底的表面之间的垂直距离为靶间距；

交替在所述衬底的表面溅射第一AlN膜与第二AlN膜以最终形成AlN缓冲层，溅射所述第一AlN膜与溅射所述第二AlN膜之间间隔20～100s，溅射所述第一AlN膜时所述靶间距为第一靶间距，溅射所述第二AlN膜时所述靶间距为第二靶间距，所述第一靶间距大于所述第二靶间距，所述第一AlN膜的溅射温度为500℃～800℃，所述第二AlN膜的溅射温度与所述第一AlN膜的溅射温度相同；

在所述AlN缓冲层上依次生长n型GaN层、多量子阱层与p型GaN层。

2.根据权利要求1所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一靶间距为70mm～100mm，所述第二靶间距为40mm～70mm。

3.根据权利要求1所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一靶间距与所述第二靶间距之差的绝对值为20mm～50mm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第一AlN膜的厚度为0.1～5nm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第二AlN膜的厚度为2～20nm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述第二AlN膜的厚度与所述第一AlN膜的厚度之比为5～20。

7.根据权利要求1～3任一项所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，

所述第一AlN膜的溅射压力为4～10mtorr。

8.根据权利要求1～3任一项所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，在所述衬底上生长AlN缓冲层之后，在所述AlN缓冲层上生长n型GaN层之前，

对所述AlN缓冲层进行10～15min的热处理。

9.根据权利要求8所述的具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，对所述AlN缓冲层进行热处理的温度为1100～1200℃。