[发明专利]具有反射结构的红光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种具有反射结构的红光二极管芯片，其特征在于，所述红光二极管芯片包括外延片、p电极与n电极，

所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的反射结构、n型AlInP限制层、发光层、p型AlInP限制层、p型AlGaInP过度层，p型GaP欧姆接触层，所述反射结构反射的光线的波长范围为600～900nm，

所述反射结构包括依次层叠的n个布拉格反射镜，n为整数且n≥3，且在所述反射结构的生长方向上，每个所述布拉格反射镜所反射的光线的波长逐渐增加，

所述p电极位于所述p型GaP欧姆接触层上，所述n电极位于所述衬底远离所述p电极的一面上。

2.根据权利要求1所述的红光二极管芯片，其特征在于，在所述反射结构的生长方向上，每个所述布拉格反射镜所反射的光线的波长呈等差数列递增。

3.根据权利要求1所述的红光二极管芯片，其特征在于，相邻的两个所述布拉格反射镜所反射的光线的波长之差为25nm～115nm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的红光二极管芯片，其特征在于，每个所述布拉格反射镜均包括交替层叠的AlAs反射层与AlGaAs反射层，n个所述布拉格反射镜中，第一布拉格反射镜中AlAs反射层的层数大于第二布拉格反射镜中AlAs反射层的层数，

其中，第一布拉格反射镜为与所述发光层距离最远的一个所述布拉格反射镜，第二布拉格反射镜为n个所述布拉格反射镜中除所述第一布拉格反射镜之外的布拉格反射镜。

5.根据权利要求4所述的红光二极管芯片，其特征在于，n-1个所述第二布拉格反射镜中AlAs反射层的层数均相同。

6.根据权利要求4所述的红光二极管芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射镜中AlAs反射层的层数为8～24。

7.根据权利要求4所述的红光二极管芯片，其特征在于，所述第二布拉格反射镜中AlAs反射层的层数为4～22。

8.根据权利要求1～3任一项所述的红光二极管芯片，其特征在于，所述外延片还包括增透结构，所述增透结构位于所述p电极位于所述p型GaP欧姆接触层之间，

所述增透结构包括Ti₃O₅层与氧化铟锡层，所述Ti₃O₅层层叠在所述p型GaP欧姆接触层的部分表面上，所述氧化铟锡层层叠在所述Ti₃O₅层与所述p型GaP欧姆接触层上，所述p电极位于所述氧化铟锡层上，且所述p电极在所述衬底的表面的正投影，与所述氧化铟锡层在所述衬底的表面的正投影完全重合。

9.根据权利要求8所述的红光二极管芯片，其特征在于，所述Ti₃O₅层的厚度为55nm～75nm，所述氧化铟锡层的厚度为80nm～100nm。

10.一种具有反射结构的红光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述红光二极管芯片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长反射结构、n型AlInP限制层、发光层、p型AlInP限制层、p型AlGaInP过度层，p型GaP欧姆接触层，所述反射结构反射的光线的波长范围为600～900nm，

所述反射结构包括依次层叠的n个布拉格反射镜，n为整数且n≥3，且在所述反射结构的生长方向上，每个所述布拉格反射镜所反射的光线的波长逐渐增加；

在所述p型GaP欧姆接触层上形成p电极；

在所述衬底远离所述p电极的一面上形成n电极。