[发明专利]LED显示构件在审
申请号: | 202110531070.X | 申请日: | 2021-05-16 |
公开(公告)号: | CN113192941A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 陈辰;宋杰 | 申请(专利权)人: | 宁波赛富电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L27/15 |
代理公司: | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11554 | 代理人: | 黄剑飞 |
地址: | 315100 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示 构件 | ||
本公开涉及一种LED显示构件,由LED显示单元阵列构成,其中每个LED显示单元包括至少两个LED像素单元,所述至少两个LED像素单元之间共用布置在所述至少两个LED像素单元之间沿着第一方向具有第一像素间隔距离的第一像素间隔部分中的N电极。
技术领域
本公开总体上涉及一种显示面板构件,更具体而言,涉及一种构成显示器的LED显示构件。
背景技术
最近几年,美国的加州大学圣芭芭拉分校和日本的SONY、SUMITOMO等一些氮化镓(GaN)的研究机构和公司成功地在一些特殊的GaN半极性晶面上制备了高功率、高效率的蓝、绿光发光二极管和激光二极管等。这些GaN的特殊晶面在高效率、低效率衰退(efficiency droop)的发光二极管(LED)以及高功率长波长激光二极管(LD)上有着极大的潜力和优势。近几年来,随着照明显示技术的不断发展,对发光器件的发光性能、亮度以及功耗等方面都提出了更高更全面的要求。在如此大环境的背景下,Micro-LED应运而生。Micro-LED作为新一代的显示技术,有自己独特的优势,由于器件尺寸很小(单个像素微米级),其结构可以进行薄膜化、阵列化以及微型化。因此,micro-LED作为新一代显示技术,已经受到了广泛的关注。半导体业界大量开始研发micro-LED显示技术。其显示亮度、对比度、寿命、稳定性等均远优于LCD显示技术。
目前,在LED显示设备中,通常存在每个像素颜色并不纯正、亮度不高,由于大量电极的存在,导致加工成本高企。因此,如何简单地获得大尺寸的Micro-LED显示单元,从而能够极大地缩小工艺成本和时间,成为人们所需。
发明内容
为此,根据本公开的一个方面,提供了一种LED显示构件,由LED显示单元阵列构成,其中每个LED显示单元包括至少两个LED像素单元,所述至少两个LED像素单元之间共用布置在所述至少两个LED像素单元之间沿着第一方向具有第一像素间隔距离的第一像素间隔部分中的N电极。
根据本公开的LED显示构件,其中所述每个LED像素单元由红色、绿色以及蓝色的第一种、第二种和第三种LED发光芯片集成而成,每个LED像素单元中第一和第二种颜色的LED发光芯片沿着第一方向按照第一间隔距离间隔布置成第一行,而第三种颜色的LED发光芯片沿着第一方向布置在与所述第一行沿着垂直于第一方向的第二方向间隔第二间隔距离的第二行中。
根据本公开的LED显示构件,其中所述每个LED像素单元中的第三种颜色的LED发光芯片沿着第一方向相对于所述第一和第二种颜色的LED发光芯片偏移预定偏置距离。
根据本公开的LED显示构件,其中所述每个LED像素单元中的第三种颜色的LED发光芯片与所述第一和第二种颜色的LED发光芯片形成等腰三角形。
根据本公开的LED显示构件,其中所述N电极处于第三种颜色的LED发光芯片所在的第二行中。
根据本公开的LED显示构件,其中所述至少两个LED像素单元为形成二维阵列的四个LED像素单元,其中沿着第二方向相邻的LED像素单元之间具有第二像素间隔距离的第二像素间隔部分,所述共用的N电极布置在第一像素间隔部分和第二像素间隔部分的相交位置。
根据本公开的LED显示构件,其中第一像素间隔距离和第二像素间隔距离相等。
根据本公开的LED显示构件,其中第一间隔距离等于第二间隔距离。
根据本公开的LED显示构件,其中第一间隔距离等于LED发光芯片的宽度以及第二间隔距离等于LED发光芯片的高度。
根据本公开的LED显示构件,其中第一像素间隔距离等于LED发光芯片的宽度。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。
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