[发明专利]一种芯片衬底外延片

权利要求书

1.一种芯片衬底外延片，其特征在于，芯片衬底外延片为水平方向非均匀衬底外延结构，无源电路区和有源电路区的衬底外延片结构不同，无源电路包括电阻、电感和电容；

所述电阻为Iso/Mesa电阻，电阻区下方采用低掺杂浓度或未掺杂的衬底，取消衬底外延片上的沟道层，由高阻的势垒层或缓冲层纵向填充该沟道层；

所述电感为空气桥电感；

所述电容为支撑柱支撑电容，电容区的支撑柱为空气隔离。

2.如权利要求1所述的芯片衬底外延片，其特征在于，电阻区下方衬底外延片的制作工艺包括：

降低Iso/Mesa电阻区下方衬底外延片的掺杂浓度；

在制作衬底外延片时，取消沟道层；

在制作衬底外延片时，由高阻的势垒层或缓冲层纵向填充沟道层。

3.如权利要求1所述的芯片衬底外延片，其特征在于，电感区下方衬底外延片的制作工艺包括：

生长衬底外延片时，在电感区进行选择性生长，只保留若干用于支撑电感传输线的支撑柱；

在电感区的支撑柱之间覆盖光阻层；

在电感区的支撑柱和所述光阻层之上制作电感传输线；

刻蚀掉所述光阻层。

4.如权利要求3所述的芯片衬底外延片，其特征在于，所述生长衬底外延片时，在电感区进行选择性生长，只保留若干用于支撑电感传输线的支撑柱，包括：

生长衬底外延片时，取消电感下方衬底外延片的沟道层，由高阻的势垒层或缓冲层纵向填充沟道层；在生长势垒层、缓冲层时利用定义了通过和阻挡图形的掩膜版，进行选择性生长，只保留若干用于支撑电感传输线的支撑柱。

5.如权利要求1所述的芯片衬底外延片，其特征在于，电容区下方衬底外延片的制作工艺包括：

生长衬底外延片时，在电容区进行选择性生长，只保留若干用于支撑M1/M2电容电极的支撑柱；

在电容区的支撑柱之间覆盖光阻层；

在电容区的支撑柱和光阻层之上制作M1/M2电容电极；

刻蚀掉光阻层。

6.如权利要求5所述的芯片衬底外延片，其特征在于，所述生长衬底外延片时，在电容区进行选择性生长，只保留若干用于支撑M1/M2电容电极的支撑柱，包括：

生长衬底外延片时，取消电容下方衬底外延片的沟道层，由高阻的势垒层或缓冲层纵向填充沟道层；在生长势垒层、缓冲层时利用定义了通过和阻挡图形的掩膜版，进行选择性生长，只保留若干用于支撑M1/M2电容电极的支撑柱。