[发明专利]一种硅片、电池条、叠瓦组件及其制备方法在审
申请号: | 202110533126.5 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN113078228A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 丁晓春;郭晓珍 | 申请(专利权)人: | 江苏赛拉弗光伏系统有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 常州易瑞智新专利代理事务所(普通合伙) 32338 | 代理人: | 周浩杰 |
地址: | 213101 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 电池 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅片,具有钝化介质层的硅片本体;所述硅片本体的正面和背面均印刷有电联接电极;其特征在于:所述硅片本体由印刷的电联接电极分隔成多个电池条预制单元;每个电池条预制单元的正面均印刷有正面电极,每个电池条预制单元的背面均印刷有背面电极;所述背面电极包括背面边侧主栅电极和背面细栅;所述背面细栅与背面边侧主栅电极电联接;所述背面边侧主栅电极上设有一个沿背面边侧主栅电极延伸方向延伸的凹槽或者多个沿背面边侧主栅电极延伸方向排布的凹槽。
2.根据权利要求1所述的一种硅片,其特征在于:硅片本体的背面边侧主栅电极所在的区域形成与硅片本体掺杂类型相同的重掺杂区,重掺杂区的掺杂浓度为1018—1020atm/cm3。
3.根据权利要求1所述的一种硅片,其特征在于:所述背面边侧主栅电极上设有多个沿背面边侧主栅电极延伸方向排布的凹槽;所述凹槽的横截面为圆形或者矩形。
4.根据权利要求2所述的一种硅片,其特征在于:所述背面边侧主栅电极上设有多个沿背面边侧主栅电极延伸方向排布的凹槽;所述凹槽的横截面为圆形或者矩形。
5.一种电池条,具有本体;其特征在于:所述本体由权利要求1或2或3或4所述的硅片本体沿激光裂片线分隔而成的电池条预制单元。
6.一种叠瓦组件,具有多个如权利要求5所述的电池条,其特征在于:电池条的正面电极包括正面细栅和正面边侧主栅电极;正面细栅与正面边侧主栅电极电联接;电池条的背面边侧主栅电极所在的区域为背面电联接区,电池条的正面边侧主栅电极所在的区域为正面电联接区;上一个电池条的背面电联接区通过在其凹槽内填充的导电胶与下一个电池条的正面电联接区黏结,并经高温烧结处理后在凹槽处形成金半欧姆接触区,且形成电联接。
7.根据权利要求6所述的叠瓦组件,其特征在于:上一个电池条的背面电联接区和下一个电池条的正面电联接区形成的电联接区,经高温烧结处理后除凹槽处外的区域形成非有机体系的导电功能相。
8.根据权利要求7所述的叠瓦组件,其特征在于:所述非有机体系的导电功能相为金属导电颗粒导电功能相或碳族导电功能相或金属-碳族导电功能相。
9.根据权利要求7所述的叠瓦组件,其特征在于:所述非有机体系的导电功能相为银基导电功能相。
10.一种制备权利要求9所述的叠瓦组件的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
S1、准备具有钝化介质层的硅片本体;在硅片本体的背面,对应后工序形成的各电池条预制单元的背面边侧主栅电极所在的区域通过激光重掺杂形成与硅片本体掺杂类型相同的重掺杂区,重掺杂区的掺杂浓度为1018—1020atm/cm3;
S2、在硅片本体的每个电池条预制单元的背面电联接区上进行激光开凹槽,获得半成品;
S3、在硅片本体的每个电池条预制单元的背面印制背面电极;
S4:在硅片本体的每个电池条预制单元的正面印制正面电极,从而获得权利要求1所述的硅片;
S5:采用激光裂片工艺将步骤S4制备获得的硅片从其背面沿着设定的激光裂片线分离电池条,并获得多个电池条预制单元;电池条预制单元即为权利要求5所述的电池条;
S6:选取多个电池条,采用印刷或点胶的方式在各电池条的凹槽处填充导电胶;多个电池条中,上一个电池条的背面电联接区通过在其凹槽内填充的导电胶与下一个电池条的正面电联接区黏结形成电联接区,从而制备得到电池串或完整的电池层排版;
S7:将制备得到的电池串或完整的电池层排版进行高温烧结处理,使得凹槽处形成电联接的金半欧姆接触区,使得除凹槽处外的区域形成电联接的非有机体系的导电功能相。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于:所述步S6中采用印刷或点胶的方式在各电池条的凹槽处填充导电胶,且导电胶适当溢流出凹槽。
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