[发明专利]选择性催化还原系统有效

专利信息
申请号: 202110533908.9 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN113250794B 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 李俊荣;朴钟赫;崔峻源;刘昶埙;林艺勋 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: F01N3/28 分类号: F01N3/28;F01N3/10;F01N3/20;F01N3/035
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 李琳;王伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 选择性 催化 还原 系统
【权利要求书】:

1.一种选择性催化还原系统,所述选择性催化还原系统具有催化层,

所述选择性催化还原系统包括多个挡板构件,所述多个挡板构件位于与所述催化层的前端间隔开的位置处,

其中,所述多个挡板构件减小由于流体在至少一个方向上的过流断面的增大而引起的流量偏差,

其中,所述多个挡板构件中的每一个包括第一部分和第二部分,

其中,所述多个挡板构件中的每一个的所述第一部分和所述第二部分在所述过流断面增大的所述至少一个方向的正交方向上延伸,

其中,所述第一部分的距所述催化层最远的一个端部和所述第二部分的距所述催化层最远的一个端部在所述过流断面增大的方向上是一体的,

其中,在所述过流断面增大的方向上,距所述催化层越近,所述第一部分与所述第二部分之间的距离越大,

其中,所述多个挡板构件中的每一个在所述流体的入口方向上突出,

其中,所述多个挡板构件在所述过流断面增大的方向上彼此间隔开相同距离,

其中,所述流体穿过在所述多个挡板构件之间形成的空间,

其中,所述选择性催化还原系统还包括喷氨格栅,即AIG,所述AIG与所述催化层的前端间隔开,其中,所述多个挡板构件装配在所述AIG的前端。

2.根据权利要求1所述的选择性催化还原系统,其中,所述多个挡板构件中的每一个具有在所述过流断面增大的所述至少一个方向的所述正交方向上延伸的V形横截面。

3.根据权利要求1所述的选择性催化还原系统,其中,所述多个挡板构件中的每一个的所述第一部分和所述第二部分之间形成45°至90°的角度。

4.根据权利要求1所述的选择性催化还原系统,其中,

其中,所述多个挡板构件中的每一个的所述第一部分的第一端与对应的所述第二部分的第一端重合,

其中,所述多个挡板构件中的每一个的所述第一部分的与所述第一端相对的第二端与对应的所述第二部分的与所述第一端相对的第二端之间的距离在30mm至200mm的范围内,并且

其中,所述多个挡板构件中的每一个之间的间距在30mm至50mm的范围内。

5.根据权利要求1所述的选择性催化还原系统,其中,所述多个挡板构件中的每一个之间的间距是恒定的。

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