[发明专利]一种横向双扩散晶体管

权利要求书

1.一种横向双扩散晶体管，包括衬底，设置在所述衬底上的主件区，和设置在所述主件区一侧的副件区，其特征在于，

所述主件区包括第一晶体管、第二晶体管和设置在所述第一晶体管与第二晶体管之间的第一ESD器件；

所述第一晶体管和第二晶体管具有共连的源端、共连的漏端、共连的栅端和共连的体端；

所述第一ESD器件包括接在所述共连的栅端上的负极，以及设置在所述负极左右两侧的两个正极，所述两个正极接在所述共连的源端上；

所述副件区包括第二ESD器件，所述第二ESD器件的输入端接在所述共连的栅端，输出端接地。

2.如权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于：所述主件区包括设置在所述衬底上具有第一导电类型的主件深阱区，所述副件区包括设置在所述衬底上的副件阱区，所述主件深阱区和所述副件阱区之间设有隔离。

3.如权利要求2所述的横向双扩散晶体管，其特征在于：所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第一ESD器件分别设置在所述主件深阱区上，且所述第一晶体管与所述第一ESD器件之间、所述第二晶体管与所述第一ESD器件之间设有第一导电类型的隔离阱和位于该隔离阱上的隔离。

4.如权利要求3所述的横向双扩散晶体管，其特征在于：所述第一ESD器件包括形成于所述主件深阱区中的具有第二导电类型的势阱区，该第一ESD器件的两个正极包括形成在该势阱区中具有第二导电类型的重掺区，以及与该第二导电类型的重掺区欧姆接触的正极导电层；该第一ESD器件的负极为形成在该势阱区中具有第一导电类型的重掺区，以及与该第一导电类型的重掺区欧姆接触的负极导电层，所述两个正极与所述负极通过引出线分别接在所述共连的源端和共连的栅端上。

5.如权利要求4所述的横向双扩散晶体管，其特征在于：所述两个正极的具有第二导电类型的重掺区与所述负极的具有第一导电类型的重掺区之间设有隔离。

6.如权利要求2所述的横向双扩散晶体管，其特征在于：以所述第一ESD器件为参照，所述第一晶体管和所述第二晶体管的体端、源端、栅端和漏端依次逐渐远离所述第一ESD器件设置，且所述第一晶体管的漏端和所述第二晶体管的漏端之间的距离接近所述主件深阱区的最大跨度。

7.如权利要求6所述的横向双扩散晶体管，其特征在于：所述第一晶体管的和所述第二晶体管的体端、源端、栅端和漏端之间设有隔离。

8.如权利要求2、3、5或7中任意一项所述的横向双扩散晶体管，其特征在于：所述隔离为浅沟槽隔离或厚场氧化层隔离。

9.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述第二ESD器件为GGNMOS器件。

10.根据权利要求9所述的横向双扩散晶体管，其特征在于，所述GGNMOS器件的漏端构成该GGNMOS器件的输入端，所述GGNMOS器件的栅端、源端和体端构成该GGNMOS器件的输出端。