[发明专利]抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构和应用在审
| 申请号： | 202110533972.7 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113363728A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李尔平;霍树云;李燕 | 申请（专利权）人： | 海宁利伊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抑制 电磁辐射 小型化 宽带 材料 吸波体 结构 应用 | ||
1.一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，包括至少一个超材料吸波体单元，其特征在于：超材料吸波体单元主要由损耗层、有耗介质层(4)和金属背板(5)组成，损耗层与金属背板(5)分别位于有耗介质层(4)上下的两表面；损耗层包括了从内到外同心依次布置的内环金属片(1)、中环金属片(2)和外环金属片(3)；内环金属片(1)、中环金属片(2)和外环金属片(3)中相邻之间具有间隙，内环金属片(1)、中环金属片(2)和外环金属片(3)均为环形金属片；沿内环金属片(1)、中环金属片(2)和外环金属片(3)各自的其中两个对角处均开设开口，开口大小相同，且开口方向均沿同一对角线方向。
2.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述的内环金属片(1)、中环金属片(2)和外环金属片(3)均为方环形金属片。
3.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述的内环金属片(1)、中环金属片(2)和外环金属片(3)的环形宽度均相同。
4.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述的损耗层贴于有耗介质层的上表面的中部。
5.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述的金属背板完全覆盖有耗介质层的下表面。
6.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述的超材料吸波体是由多个超材料吸波体单元紧密阵列排布构成。
7.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述的有耗介质层(4)采用的材料为FR-4，介电常数为4.3，介质损耗角正切值为0.02。
8.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述的损耗层和金属背板(5)均采用材料铜，导电率为5.96×107S/m。
9.根据权利要求1所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构，其特征在于：所述超材料吸波体结构在屏蔽芯片和走线辐射中的应用。
10.根据权利要求9所述的一种抑制电磁辐射的小型化超宽带超材料吸波体结构的应用，其特征在于：在封装基板与散热器之间周期性排列所述的超材料吸波体结构，进而实现电磁辐射抑制的目的。
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