[发明专利]基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法

权利要求书

1.基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是按如下步骤：

步骤一，将一片尺寸在微纳米范围内的硅片置于高精度显微镜下；

步骤二，将硅片的中部固定，调节飞秒激光性能参数；在硅片的其中一侧进行探针成型；

步骤三，进行飞秒激光照射硅片的同时，在硅片左右两侧施加水平电场；

步骤四，电场与飞秒激光耦合作用一段时间后，成型出微悬臂梁探针。

2.如权利要求1所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤一，硅片呈方体状，硅片的长度以及宽度为微米数量级，硅片的高度为纳米数量级。

3.如权利要求1所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤一，硅片的尺寸为25×700×1.5μm³。

4.如权利要求1-3任一项所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤一，确保硅片表面光滑，且在高精度显微镜下清晰可见。

5.如权利要求1所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤二，飞秒激光照射在硅片一侧的中部位置。

6.如权利要求1或5所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤二，飞秒激光的照射功率为75mW。

7.如权利要求1所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤三，电场左极板为正极，右极板为负极，电势方向从左指向右。

8.如权利要求1或7所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，电场强度为6×10⁶V/cm。

9.如权利要求1所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤四，飞秒激光照射的时间为10s。