[发明专利]一种陶瓷平膜压阻芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110534574.7 申请日: 2021-05-17
公开(公告)号: CN113270240B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 王国强 申请(专利权)人: 深圳聚德寿科技有限公司
主分类号: H01C17/06 分类号: H01C17/06;B28B1/29;B28B11/14;B28B11/12;C04B35/10;C04B35/48;C04B35/622
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 符继超
地址: 518051 广东省深圳市南山区粤海街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 陶瓷 平膜压阻 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种陶瓷平膜压阻芯片,其特征在于,包括:支持厚片(3)、变形弹性膜片(1)和惠斯通电桥(2);

所述支持厚片(3)依次包括第一支持层(31)、第二支持层(32)、第三支持层(33)、导线基层(34)、导通电路(35)、PAD过孔层(36)、PAD层(37)和调零电阻(38),所述第一支持层(31)、所述第二支持层(32)、所述第三支持层(33)、所述导线基层(34)和所述PAD过孔层(36)设置有导通过孔(39),所述第一支持层(31)、所述第二支持层(32)、所述第三支持层(33)中心处设置有避空孔(4);

所述惠斯通电桥(2)设置在所述变形弹性膜片(1)上,所述变形弹性膜片(1)与所述支持厚片(3)连接;

所述惠斯通电桥(2)包括印刷组桥电阻(21)和印刷组桥电路(22);

所述导通电路(35)通过所述导通过孔(39)与所述惠斯通电桥(2)连接;

所述变形弹性膜片(1)的厚度为0.15-0.8mm,所述惠斯通电桥(2)厚度为0.03-0.3mm,所述支持厚片(3)的厚度为3-8mm,所述导通电路(35)、所述PAD层(37)和所述调零电阻(38)的厚度为0.03-0.3mm,所述第一支持层(31)、所述第二支持层(32)和所述第三支持层(33)的厚度为0.02-0.9mm;

所述第一支持层(31)、所述第二支持层(32)和所述第三支持层(33)为单层或多层。

2.一种权利要求1所述的陶瓷平膜压阻芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)配置浆料:将3000-5000份氧化铝粉或氧化锆粉、100-300聚丙烯酸铵、100~300份玻璃微珠、100-300份磷酸三丁酯、200-400份邻苯二甲酸二丁酯和100-300份硅油、100-300份液体石蜡、10000~20000份φ3-10mm锆球在球磨罐内混合后磨10~15h,再加入3000-5000份苯乙烯-丙烯酸酯乳胶磨16~24h;

2)流延:配置好的浆料泵入流延机进行流延,出料后生料卷料厚度20~600μm;

3)裁片:将流延后的带载膜生料卷料裁切成8*8英寸方片;

4)冲孔:利用机械或激光冲孔设备对第一支持层、第二支持层、第三支持层、导线基层、PAD过孔层进行层间导通孔加工;

5)填孔:在第一支持层、第二支持层、第三支持层、导线基层、PAD过孔层上通过丝网印刷将过孔进行孔壁金属化丝印;

6)丝印:在变形弹性膜片、导线基层、PAD过孔层上通过丝网印刷制作惠斯通电桥、导通电路、PAD层、调零电阻,同时在第一支持层、第二支持层、第三支持层的避空孔处采取丝网印刷的方式填充挥发性物质;

7)叠片:将印刷后的陶瓷片依次对位后叠压,形成压阻芯片一体厚生胚;

8)温等静压:将压阻芯片一体厚生胚在25~60MPa的压力、60~100℃的温度和20~60min的保压时间内,使用温等静压机将变形弹性膜片、支持厚片及挥发性填充物压合在一起,形成一体式压力芯片;

9)切割:将一体式压力芯片利用热切刀进行切割,获得压阻芯体生胚;

10)排胶:将压阻芯体生胚在温度为300~450℃的环境下,进行36~98hr的排胶处理;

11)烧结:将步骤10)中排胶后的压阻芯片生胚在烧结炉中进行烧结,烧结温度为650~1500℃,保温时间2~6hr;

12)激光调阻:对调零电阻进行精细切割调节。

3.根据权利要求2所述的一种陶瓷平膜压阻芯片的制备方法,其特征在于,所述挥发性填充物为碳浆或树脂类。

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