[发明专利]一种异形玉叶金花组培快繁培养基及培养方法

权利要求书

1.一种异形玉叶金花组培快繁培养基，其特征在于，包括诱导培养基、继代培养基、增殖培养基、生根培养基；其中，

所述诱导培养基由MS+6-苄氨基嘌呤0.05mg/L~0.15mg/L+萘乙酸0.01mg/L~0.1mg/L组成，pH值5.6~5.8；

所述继代培养基由MS+6-苄氨基嘌呤3mg/L~5mg/L+激动素0.15mg/L~0.35mg/L+萘乙酸0.01mg/L~0.03mg/L组成，pH值5.6~5.8；

所述增殖培养基由MS+6-苄氨基嘌呤3mg/L~5mg/L+激动素0.15mg/L~0.35mg/L+吲哚乙酸0.01mg/L~0.03mg/L组成，pH值5.6~5.8；

所述生根培养基由1/2MS+吲哚丁酸0.1mg/L~0.2mg/L+活性炭0.5g/L~1.5g/L组成，pH值5.6~5.8。

2.根据权利要求1所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养基，其特征在于，所述诱导培养基由MS+6-苄氨基嘌呤0.1mg/L+萘乙酸0.05mg/L组成，pH值5.7。

3.根据权利要求1所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养基，其特征在于，所述继代培养基由MS+6-苄氨基嘌呤4mg/L+激动素0.25mg/L +萘乙酸0.02mg/L组成，pH值5.7。

4.根据权利要求1所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养基，其特征在于，所述增殖培养基由MS+6-苄氨基嘌呤4mg/L+激动素0.25mg/L +吲哚乙酸0.02mg/L组成，pH值5.7。

5.根据权利要求1所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养基，其特征在于，所述生根培养基由1/2MS+吲哚丁酸0.15mg/L+活性炭1g/L组成，pH值5.7。

6.根据权利要求1所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养基，其特征在于，所述诱导培养基由MS+6-苄氨基嘌呤0.1mg/L+萘乙酸0.05mg/L组成，pH值5.7；所述继代培养基由MS+6-苄氨基嘌呤4mg/L+激动素0.25mg/L+萘乙酸0.02mg/L组成，pH值5.7；所述增殖培养基由MS+6-苄氨基嘌呤4mg/L+激动素0.25mg/L+吲哚乙酸0.02mg/L组成，pH值5.7；所述生根培养基由1/2MS+吲哚丁酸0.15mg/L+活性炭1g/L组成，pH值5.7。

7.一种异形玉叶金花组培快繁培养方法，其特征在于，利用权利要求1-6任一项所述的异形玉叶金花组培快繁培养基进行培养，具体包括以下步骤：以异形玉叶金花的茎为外植体，在诱导培养基中诱导培养产生愈伤组织，所述愈伤组织在所述继代培养基中继代培养产生不定芽，所述不定芽在所述增殖培养基中增殖培养产生丛生芽，所述丛生芽在所述生根培养基中生根培养形成异形玉叶金花幼苗。

8.根据权利要求7所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养方法，其特征在于，所述的外植体在诱导培养前进行前处理，具体包括以下步骤：流水冲洗4h，紫外杀菌30min，75%乙醇浸泡30s，无菌水冲洗，0.01%升汞浸泡10min，无菌水清洗，切成2～4mm的茎段。

9.根据权利要求7所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养方法，其特征在于，所述诱导培养条件包括：温度25±1℃，光照强度1500Lx，光照时间12h/天，培养时间15d；所述的继代培养条件包括：温度25±1℃，光照强度1500Lx，光照时间12h/天，继代3~4次，培养时间50d。

10.根据权利要求7所述的一种异形玉叶金花组培快繁培养方法，其特征在于，所述增殖培养条件包括：温度25±1℃，光照强度1500Lx，光照时间12h/天，培养时间15d；所述生根培养条件包括：温度25±1℃，光照强度1500Lx，光照时间12h/天，培养时间50d。