[发明专利]一种半导体光催化剂及其制备方法在审
| 申请号： | 202110535034.0 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113509932A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 孙艳娟;肖磊;盛剑平;陈思;董帆 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | B01J23/72 | 分类号： | B01J23/72;B01J27/04;B01J35/00;B01J35/08;B01J37/10;C01B32/40 |
| 代理公司： | 成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51304 | 代理人： | 何健雄;廖祥文 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 光催化剂 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体光催化剂，其特征在于：该催化剂以S化合物为载体，在其表面负载Cu离子作为活性中心。
2.根据权利要求1所述的一种半导体光催化剂，其特征在于：所述S化合物为ZnIn2S4。
3.根据权利要求1所述的一种半导体光催化剂，其特征在于：该催化剂由Cu离子取代ZnIn2S4中的Zn离子的微球结构构成。
4.根据权利要求3所述的一种半导体光催化剂，其特征在于：该催化剂中Cu离子的质量分数为0.1wt％-1wt％。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.将含Zn前驱体和含In前驱体混合，接着加入水配成前驱体溶液，搅拌均匀，制得混合液a；
S2.向步骤S1制得的混合液a中加入Cu化合物并搅拌均匀，制得混合液b；
S3.向步骤S2制得的混合液b中加入表面活性剂并搅拌均匀，制得混合液c；
S4.向步骤S3制得的混合液c中加入含S前驱体，搅拌均匀后经过水热反应得到固体混合物，所述固体混合物经过离心洗涤后烘干即得由Cu掺杂ZnIn2S4微球固体。
6.根据权利要求5所述的一种半导体光催化剂的制备方法，其特征在于：所述含Zn前驱体为七水合硫酸锌，所述含In前驱体为三水合硝酸铟，所述Cu化合物为硝酸铜。
7.根据权利要求5所述的一种半导体光催化剂的制备方法，其特征在于：所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，所述含S前驱体为硫代乙酰胺。
8.根据权利要求5所述的一种半导体光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤S4中所述水热反应的反应温度为160℃，反应时间为16h。
9.根据权利要求5所述的一种半导体光催化剂的制备方法，其特征在于：所述Cu化合物中Cu离子的质量与理论上生成ZnIn2S4质量之比为(0.1％-1％)：1。
10.根据权利要求9所述的一种半导体光催化剂的制备方法，其特征在于：所述Cu化合物中Cu离子的质量与理论上生成ZnIn2S4质量之比为0.7％：1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学长三角研究院（湖州），未经电子科技大学长三角研究院（湖州）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110535034.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非贮压全氟己酮灭火装置
- 下一篇：一种非线性多智能体系统动态事件触发控制方法
