[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括：

提供包括第一器件区域和第二器件区域的半导体衬底，所述第一器件区域和所述第二器件区域由隔离结构分隔；

在所述第二器件区域中形成掺杂阱；

形成覆盖所述第一器件区域和所述第二器件区域并且还覆盖所述掺杂阱的密封层；

从所述第一器件区域而不是从所述第二器件区域处去除所述密封层，以在所述密封层中形成贯通孔；

在所述第一器件区域上形成穿过所述贯通孔的存储单元结构；

在形成所述存储单元结构之后，从所述第二器件区域处去除所述密封层；以及

在所述第二器件区域上形成器件结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述存储单元结构包括使所述半导体衬底在所述第一器件区域处而非在所述第二器件区域处的顶面凹陷。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述隔离结构、所述第一器件区域以及所述第二器件区域上形成栅极介电层，其中，所述栅极介电层是与所述密封层不同的材料并且在所述密封层从所述第二器件区域处去除之后形成。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述隔离结构、所述第一器件区域以及所述第二器件区域上形成栅极介电层，其中，所述栅极介电层是与所述密封层不同的材料，并且所述密封层形成为覆盖所述栅极介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述密封层包括氮化硅、碳化硅、多晶硅或氮氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用氧化工艺形成所述存储单元结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述存储单元结构包括：

形成存储栅极介电层、覆盖所述存储栅极介电层的存储栅电极、以及覆盖所述存储栅电极的存储栅极硬掩模，其中，所述存储栅极介电层通过所述氧化工艺形成。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在从所述第一器件区域去除所述密封层之后且在形成所述存储单元结构之前，在所述第一器件区域中形成第二掺杂阱。

9.一种用于形成集成电路的方法，该方法包括：

在半导体衬底中形成隔离结构，其中，所述隔离结构划分半导体衬底的存储区域，并且还划分所述半导体衬底的外围区域；

在所述外围区域中形成掺杂阱；

形成覆盖所述存储区域和所述外围区域并且还覆盖所述掺杂阱的密封层；

从所述存储区域而非从所述外围区域处去除所述密封层；

通过热氧化工艺在所述存储区域形成栅极介电层，其中，所述热氧化工艺使所述半导体衬底的顶面在所述存储区域而非在所述外围区域凹陷；

在所述栅极介电层上方形成存储栅电极；

在形成所述存储栅电极之后，从所述外围区域处去除所述密封层；从所述外围区域去除所述密封层之后沉积栅电极层，以及

对所述栅电极层进行选择性蚀刻以从所述栅电极层，在同时形成位于所述存储区域上邻接所述存储栅电极的第二存储栅电极的同时，在所述外围区域上形成外围栅电极。

10.一种用于形成集成电路的方法，所述方法包括：

提供包括第一器件区域和第二器件区域的衬底；

沉积覆盖所述第一器件区域和所述第二器件区域的密封层；

在所述密封层中执行第一蚀刻以形成定位在所述第一器件区域且不覆盖所述第一器件区域的开口，其中，所述第二器件区域在所述第一蚀刻完成时保持由所述密封层覆盖；

在所述开口中形成存储器单元结构；

沉积衬垫在所述密封层的侧壁和所述开口中的所述存储器单元结构的侧壁，以及还覆盖所述密封层的栅极介电层；

在所述密封层和所述栅极介电层中执行第二蚀刻以从所述第二器件区域而不是从所述第一器件区域，清洗所述密封层和所述栅极介电层，其中在所述第二蚀刻之后，所述密封层的伪部分保持由位于所述密封层的所述侧壁上的所述栅极介电层覆盖；以及

在第二器件区域上形成器件结构。