[发明专利]集成电路器件和形成方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底，具有相对的第一侧和第二侧；

第一有源区，位于所述衬底的所述第一侧上方；

第一导电图案，位于所述第一有源区上方并且电耦合到所述第一有源区；

第一贯通孔结构，从所述第二侧穿过所述衬底延伸到所述第一侧与所述第一有源区电接触；以及

第二导电图案，位于所述衬底的所述第二侧下方并且电耦合到所述第一贯通孔结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第一有源区被配置为电阻器结构。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第二导电图案包括电源电压轨。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，

所述第一导电图案在金属零层中，并且

所述第二导电图案在背侧金属零层中。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

接触件结构，位于所述第一有源区上方并且与所述第一有源区电接触，所述接触件结构电耦合至所述第一导电图案，

其中，所述接触件结构和所述第一贯通孔结构与所述第一有源区的相应相对表面直接接触。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

接触件结构，位于所述第一有源区上方并且与所述第一有源区电接触；以及

通孔结构，在所述第一导电图案和所述接触件结构之间延伸并且将所述第一导电图案电耦合到所述接触件结构，

其中，在沿所述衬底的厚度方向从所述第一侧到所述第二侧的平面图中，

所述第一导电图案、所述通孔结构、所述接触件结构、所述第一有源区、所述第一贯通孔结构和所述第二导电图案彼此重叠。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

多个有源区，位于所述衬底的所述第一侧上，所述多个有源区包括第一有源区；以及

多个栅极区，位于所述多个有源区上方，

其中

所述多个栅极区和所述多个有源区一起被配置为多个晶体管，

所述多个晶体管包括在所述第一有源区的相对侧上的第一相邻晶体管的对，以及

所述第一相邻晶体管

电耦合以始终处于关闭状态，或

使相应的所述栅极区浮置。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，还包括：

第二贯通孔结构，从所述第二侧穿过所述衬底延伸到所述第一侧与所述多个有源区中的第二有源区电接触；

其中

所述第一有源区和所述第二有源区通过所述第一导电图案或所述第二导电图案中的至少一个彼此电耦合，

所述多个晶体管还包括在所述第二有源区的相对侧上的第二相邻晶体管的对，以及

所述第一相邻晶体管和所述第二相邻晶体管

电耦合以始终处于关闭状态，或

使相应的所述栅极区浮置。

9.一种集成电路器件，包括：

多个有源区；

多个栅极区，位于所述多个有源区上方，所述多个栅极区和所述多个有源区一起被配置为多个晶体管；

第一金属层，位于所述多个有源区上方；

第二金属层，位于所述多个有源区下方；以及

至少一个电阻器结构，

其中，每个电阻器结构包括所述多个有源区中的有源区，并且具有对应地电耦合到所述第一金属层和所述第二金属层的相对的端。

10.一种形成集成电路器件的方法，包括：

在衬底的第一侧上形成有源区，所述衬底具有与所述第一侧相反的第二侧；

在所述有源区上方的第一金属层中形成电耦合至所述有源区的第一导电图案；

形成从所述第二侧穿过所述衬底延伸到所述第一侧与所述有源区电接触的通孔结构；以及

在所述衬底的所述第二侧下方的第二金属层中形成电耦合至所述贯通孔结构的第二导电图案。