[发明专利]LDMOS结构及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一阱区，所述第一阱区掺杂有硼离子，且所述第一阱区中形成有隔离沟槽；

在所述隔离沟槽的侧壁和底部形成包括碳离子的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层与所述半导体衬底的界面包括碳硼团簇层；

在所述隔离沟槽内形成隔离结构，所述隔离结构的表面与所述半导体衬底的表面共面；

形成包括第二阱区、栅极结构以及源极和漏极的LDMOS结构，其中所述第二阱区位于所述隔离结构一侧的第一阱区中，所述栅极结构横跨且覆盖部分所述隔离结构、第一阱区以及第二阱区表面，所述源极位于所述隔离结构远离所述栅极结构一侧的所述第一阱区中，所述漏极位于所述栅极结构一侧的第二阱区中。

2.根据权利要求1所述的LDMOS结构的形成方法，其特征在于，形成所述扩散阻挡层的工艺为原位外延生长、化学气相沉积或物理气相沉积。

3.根据权利要求1所述的LDMOS结构的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度为3nm～20nm。

4.根据权利要求1所述的LDMOS结构的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离结构之前，还包括在所述扩散阻挡层中进行硼离子掺杂，且掺杂的所述硼离子富集于所述扩散阻挡层与所述半导体衬底的界面，所述硼离子的浓度不超过5×10¹⁹/cm³。

5.根据权利要求1所述的LDMOS结构的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括碳化硅和碳化硅硼中的至少一种。

6.根据权利要求1或4所述的LDMOS结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离沟槽内形成隔离结构之前，还包括：对所述扩散阻挡层进行氧化处理或氮化处理。

7.根据权利要求6所述的LDMOS结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的工艺为干氧氧化或湿氧氧化，其中氧气的流量为1.2SLM～0.9SLM，处理时间为15s～30s。

8.一种LDMOS结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有第一阱区，所述第一阱区掺杂有硼离子；

隔离结构，位于所述第一阱区中，且与所述半导体衬底的表面共面，包括扩散阻挡层和位于所述扩散阻挡层表面的隔离材料层，所述扩散阻挡层包括碳离子；

碳硼团簇层，位于所述扩散阻挡层与所述半导体衬底的界面；

第二阱区，位于所述隔离结构一侧的第一阱区中；

栅极结构，横跨且覆盖部分所述隔离结构、第一阱区以及第二阱区的表面；

源极，位于所述隔离结构远离所述栅极结构的一侧；

漏极，位于所述栅极结构一侧的第二阱区中。

9.根据权利要求8所述的LDMOS结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的厚度为3nm～20nm。

10.根据权利要求8所述的LDMOS结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括碳化硅和碳化硅硼中的至少一种。

11.根据权利要求8所述的LDMOS结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括碳氧化硅或碳氮化硅。

12.根据权利要求8所述的LDMOS结构，其特征在于，所述扩散阻挡层与所述半导体衬底的界面还富集有硼离子，且富集的硼离子的浓度不超过5×10¹⁹/cm³。