[发明专利]红外焦平面探测器读出电路的内置测试电路及测试方法有效

专利信息
申请号: 202110537820.4 申请日: 2021-05-18
公开(公告)号: CN113324661B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 钟昇佑;姚立斌;张济清;陈楠;毛文彪;李正芬;李志浩 申请(专利权)人: 昆明物理研究所
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10
代理公司: 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650221 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 红外 平面 探测器 读出 电路 内置 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种红外焦平面探测器读出电路的内置测试电路,所述红外焦平面探测器读出电路包括有效像元电路阵列,其特征在于:

所述内置测试电路包括行测试像元电路阵列、列测试像元电路阵列、参照组测试像元电路阵列和测试电流产生电路;

所述行测试像元电路阵列位于读出电路的行方向,其阵列规格为M×N,所述行测试像元电路阵列中的各测试像元电路与有效像元电路阵列中的有效像元电路完全相同;

所述列测试像元电路阵列位于读出电路的列方向,其阵列规格为N×M,所述列测试像元电路阵列中的各测试像元电路与有效像元电路阵列中的有效像元电路完全相同;

所述参照组测试像元电路阵列位于读出电路的周围,其阵列规格为M×1,所述参照组测试像元电路阵列中的各测试像元电路与有效像元电路阵列中的有效像元电路完全相同;

所述测试电流产生电路的输入由读出电路外部提供,并产生M个电流I1~IM ,该M个电流代替红外探测器的光电流按一定顺序驱动所述行测试像元电路阵列、列测试像元电路阵列以及参照组测试像元电路阵列;

所述MN为偶数。

2.根据权利要求1所述的内置测试电路,其特征在于:

所述电流I1~IM顺序驱动所述行测试像元电路阵列中从第1列的第M~第1个测试像元电路RM,1 ~ R1,1到第N列的第1~第M个测试像元电路R1,N ~ RM,N。

3.根据权利要求1所述的内置测试电路,其特征在于:

所述电流I1~IM顺序驱动所述列测试像元电路阵列中从第1行的第1个~第M个测试像元电路C1,1 ~ C1,M到第N列的第M到第1个测试像元电路CN,M ~ CN,1。

4.根据权利要求1所述的内置测试电路,其特征在于:

所述电流I1~IM顺序驱动所述参照组测试像元电路阵列的第1~第M个测试像元电路F1,1 ~ FM,1。

5.根据权利要求1至4任一项所述的内置测试电路,其特征在于:

所述I1:I2:……:IM=1:2:……:M。

6.根据权利要求5所述的内置测试电路,其特征在于:

以I1作为输入的测试像元电路,其对该电流进行积分和放大后,输出值达到读出电路的最小输出值;

以IM作为输入的测试像元电路,其对该电流进行积分和放大后,输出值应达到读出电路的最大输出值;

所述I1:IM能够覆盖读出电路的动态范围。

7.根据权利要求1至4任一项所述的内置测试电路,其特征在于:

所述测试像元电路阵列的极性是N-on-P、P-on-N和双色中的任一种;

所述测试像元电路阵列的结构是4T、CTIA和电流镜结构中的任一种;

所述测试像元电路阵列的结构采用全局曝光或者卷帘门曝光设计;

所述测试电流产生电路阵列包含M+1个饱和状态MOS管;

根据探测器极性的不同,所述测试电流产生电路阵列是NMOS管或PMOS管。

8.根据权利要求1至7任一项所述的内置测试电路的测试方法,其特征在于:

包括对于读出电路面对不同输入下的串扰的测试、对于读出电路面对不同输入下信号在信号总线传输过程中的完整性的测试以及对于读出电路动态范围和线性度的测试。

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