[发明专利]一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法及铁磁/氧化物多层膜

权利要求书

1.一种铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

对Ta及Co₄₀Fe₄₀B₂₀的表面进行清洗；

在基片上依次沉积Ta₂O₅、Ta、Co₄₀Fe₄₀B₂₀、MgO及Ta，从而形成Ta₂O₅/Ta/Co₄₀Fe₄₀B₂₀/MgO/Ta的薄膜体系；

在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理，得到所述铁磁/氧化物多层膜。

2.根据权利要求1所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，在对Ta和Co₄₀Fe₄₀B₂₀的表面进行清洗的步骤中，具体包括下述步骤：

先用有机化学试剂对Ta和Co₄₀Fe₄₀B₂₀表面进行超声清洗，之后用去离子水超声清洗，最后通过氮气吹干或者烘箱烘干。

3.根据权利要求2所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，所述有机化学试剂包括丙酮或酒精。

4.根据权利要求1所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，在基片上依次沉积Ta₂O₅、Ta、Co₄₀Fe₄₀B₂₀、MgO及Ta，从而形成Ta₂O₅/Ta/Co₄₀Fe₄₀B₂₀/MgO/Ta的薄膜体系的步骤中，具体包括：

利用磁控溅射方法，在Si基片上依次沉积所述Ta₂O₅、Ta、Co₄₀Fe₄₀B₂₀、MgO及Ta，从而形成Ta₂O₅/Ta/Co₄₀Fe₄₀B₂₀/MgO/Ta的薄膜体系。

5.根据权利要求4所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的溅射室的本底真空度为1×10^-5～3×10^-5Pa，溅射时氩气压为0.3～0.8Pa。

6.根据权利要求5所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的样品结构的每一层Ta₂O₅，Ta、Co₄₀Fe₄₀B₂₀、MgO，Ta轰击时间依次为：300-400s、10-30s、10-40s、200-300s及10-30s。

7.根据权利要求6所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，所述基片为Si基片，所述Si基片带有热氧化的SiO₂层。

8.根据权利要求7所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，其特征在于，在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理的步骤中，所述真空环境的真空度为1×10^-5～5×10^-5Pa，所述热处理的温度为250～350℃，保温时间为10-50分钟。

9.一种铁磁/氧化物多层膜，其特征在于，由上述权利要求1至8任一项所述的铁磁/氧化物多层膜的制备方法制备得到，所述铁磁/氧化物多层膜包括基片及依次沉积所述基片上的Ta₂O₅、Ta、Co₄₀Fe₄₀B₂₀、MgO及Ta。