[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有牺牲层和隔离层交替层叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心区和位于核心区一侧的台阶区，所述堆叠结构还包括若干栅极隔槽区，所述栅极隔槽区横穿所述核心区和台阶区，所述栅极隔槽区两侧的核心区中具有沟道通孔调节区，所述栅极隔槽区两侧的台阶区中还具有伪沟道通孔调节区，且所述沟道通孔调节区位于所述核心区与所述台阶区相邻的边缘处、所述伪沟道通孔调节区位于所述台阶区与所述核心区相邻的边缘处；

在所述伪沟道通孔调节区和伪沟道通孔调节区外的台阶区中形成若干伪沟道通孔；

在所述沟道通孔调节区以及沟道通孔调节区外的核心区中形成若干沟道通孔，所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中的沟道通孔密度；所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度与所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度相等，或者所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度与所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度之差的绝对值小于密度阈值；

在所述伪沟道通孔中形成伪沟道结构；

在所述沟道通孔中形成存储结构；

在所述栅极隔槽区中形成横穿核心区和台阶区的栅极隔槽。

2.如权利要求1所述的3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度从核心区指向台阶区的方向上逐渐减小。

3.如权利要求1所述的3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，所述密度阈值为在形成栅极隔槽时，所述核心区和台阶区的交界处的栅极隔槽侧壁不会形成倾斜缺陷时的所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度与所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度的差值的最大值。

4.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有控制栅和隔离层交替层叠的堆叠结构，所述堆叠结构包括核心区和位于核心区一侧的台阶区，所述堆叠结构还包括若干栅极隔槽区，所述栅极隔槽区横穿所述核心区和台阶区，所述栅极隔槽区两侧的核心区中具有沟道通孔调节区，所述栅极隔槽区两侧的台阶区中还具有伪沟道通孔调节区，且所述沟道通孔调节区位于所述核心区与所述台阶区相邻的边缘处、所述伪沟道通孔调节区位于所述台阶区与所述核心区相邻的边缘处；

位于所述伪沟道通孔调节区和伪沟道通孔调节区外的台阶区中的若干伪沟道通孔；

位于所述沟道通孔调节区以及沟道通孔调节区外的核心区中的若干沟道通孔，所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中的沟道通孔密度；所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度与所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度相等，或者所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度与所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度之差的绝对值小于密度阈值；

位于所述伪沟道通孔中的伪沟道结构；

位于所述沟道通孔中的存储结构；

位于所述栅极隔槽区中的横穿核心区和台阶区的栅极隔槽；

位于所述栅极隔槽中的阵列共源极。

5.如权利要求4所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中的沟道通孔中存储结构的密度。

6.如权利要求4或5所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度从核心区指向台阶区的方向上逐渐减小。

7.如权利要求6所述的3D NAND存储器，其特征在于，从核心区指向台阶区的方向上，所述沟道通孔调节区中沟道通孔的密度值的大小从沟道通孔调节区外的核心区中沟道通孔的密度大小值减小到所述伪沟道通孔调节区中伪沟道通孔的密度大小值。

8.如权利要求4或5所述的3D NAND存储器，其特征在于，所述沟道通孔调节区中不同位置的沟道通孔的密度保持一致。