[发明专利]半导体制程设备的示踪气体检测方法

权利要求书

1.一种半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

步骤一、确定半导体制程设备的通风气室(100)内的模拟泄漏点(A)，将示踪气体源(4)的出口接至所述模拟泄漏点(A)；

步骤二、测量并调节所述通风气室(100)内的负压和排气流量，使所述负压和所述排气流量均满足设定条件；

步骤三、测量并调节所述通风气室(100)外的环境风速和示踪气体环境本底浓度，使所述环境风速和所述示踪气体环境本底浓度均满足设定条件；

步骤四、开启所述示踪气体源(4)，并以设定注入流量向所述模拟泄漏点(A)释放示踪气体；

步骤五、在所述通风气室(100)内的示踪气体达到平衡后，在所述通风气室(100)外的设定取样点(B)进行多次取样，然后在关闭所述示踪气体源(4)后在所述设定取样点(B)进行最后一次取样；

步骤六、对取得的样品进行浓度分析，根据所述样品中的示踪气体浓度的最大值判断所述通风气室(100)的泄漏情况是否合格。

2.根据权利要求1所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，还包括：

步骤七、当所述通风气室(100)的泄漏情况不合格时，调节所述通风气室(100)内的排气流量和/或对所述通风气室(100)的边界位置进行封堵，然后重复所述步骤二至所述步骤六；

步骤八、重复所述步骤七，直至所述通风气室(100)的泄漏情况合格。

3.根据权利要求2所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，所述通风气室(100)内具有多个所述模拟泄漏点(A)，通过所述步骤一至所述步骤八逐个完成所有所述模拟泄漏点(A)的检测试验。

4.根据权利要求1或3所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，所述模拟泄漏点(A)靠近所述通风气室(100)内的工艺管线(2)的外周面并位于所述工艺管线(2)上的工艺气体流量控制器(3)的上游。

5.根据权利要求1所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，在所述步骤一中，所述示踪气体源(4)通过减压阀(5)和示踪气体流量控制器(6)接至所述模拟泄漏点(A)。

6.根据权利要求1所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，在所述步骤二中，采用风速仪测量所述通风气室(100)的排风管道(103)的中心风速，并根据以下公式计算通风气室(100)内的排气流量q：

式中，D为排风管道(103)的直径；v为排风管道(103)的中心风速；n为修正值。

7.根据权利要求1所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，在所述步骤二中，所述负压的设定条件为不超过375Pa，所述排气流量的设定条件为排气中有害气体的含量小于25％的职业接触限值。

8.根据权利要求1所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，在所述步骤三中，所述环境风速的设定条件为不超过0.13m/s，所述示踪气体环境本底浓度的设定条件为不超过1ppb。

9.根据权利要求1所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述设定注入流量为所述半导体制程设备工作时所述通风气室(100)内的工艺管线(2)内的有害气体流量的1.2倍-1.5倍。

10.根据权利要求1所述的半导体制程设备的示踪气体检测方法，其特征在于，在所述步骤五中，所述通风气室(100)内的示踪气体达到平衡所需的时间为t：

t＝3(V/q)

式中，V为通风气室(100)的体积；q为通风气室(100)内的排气流量。