[发明专利]一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110541343.9 申请日: 2021-05-18
公开(公告)号: CN113506852A 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 王超;郭铁 申请(专利权)人: 宣城先进光伏技术有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 袁林涛
地址: 242000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 vox appa 空穴 传输 钙钛矿 太阳电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池,其特征在于,包括:

基底;

空穴传输层VOx,所述空穴传输层VOx设置在基底的上表面;

界面修饰层APPA,所述界面修饰层APPA设置在空穴传输层VOx的上表面;

钙钛矿吸收层MAPbI3,所述钙钛矿吸收层MAPbI3设置在界面修饰层APPA的上表面;

电子传输层PCBM,所述电子传输层PCBM设置在钙钛矿吸收层MAPbI3的上表面;以及

金属电极Ag,所述金属电极Ag设置在电子传输层PCBM的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述基底为沉积了透明导电玻璃的刚性或柔性基底。

3.根据权利要求1所述的一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述钙钛矿吸收层MAPbI3为具有ABX3结构的材料。

4.根据权利要求1所述的一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述电子传输层PCBM包括SnO2或PCBM、C60、ICBA等富勒烯及其衍生物。

5.基于以上根据权利要求1-4中任一所述的一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,ITO导电玻璃依次经过了异丙醇、丙酮、洗液、多次去离子水、异丙醇的超声清洗,清洗后烘干;

S2,将40mg钒酸铵粉末溶解于3mL的超纯水中,在60℃的加热台上面磁力搅拌24小时,直到溶液变为淡黄色透明溶液,并将溶液过滤;

S3,将制备好的溶液通过旋转涂膜的方式涂于ITO基板上面,转速2500RPM,时间30秒;

S4,然后将涂好的薄膜立即置于加热台上210℃加热8分钟;

S5,将APPA溶解在无水甲醇中,浓度为2mg/mL,加热搅拌至溶液完全溶解,然后旋涂在制备好的VOx薄膜上面,转速2500RPM,时间30秒;

S6,通过两步法旋涂制备MAPbI3薄膜;

S7,沉积厚度20~50nm的电子传输层PCBM;以及

S8,蒸镀金属导电层Ag电极,制得钙钛矿太阳能电池。

6.根据权利要求5所述的一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法,其特征在于,所述步骤S1清洗的时间为15-25min,然后用75℃的烘箱烘干。

7.根据权利要求5所述的一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法,其特征在于,所述步骤S2、S3以及S4均在空气中操作。

8.根据权利要求5所述的一种VOx-APPA为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中将制备后的钒酸铵溶液用0.22μm的水相聚醚砜针式过滤头进行过滤。

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