[发明专利]一种氮化镓器件老化箱有效
申请号: | 202110542715.X | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN112964976B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 曹佶;赵宝忠;林向前 | 申请(专利权)人: | 浙江杭可仪器有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R31/00 |
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地址: | 311200 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 器件 老化 | ||
本发明公开了一种氮化镓器件老化箱,包括降温模块和设置在所述降温模块上的控制模块和升温模块,所述升温模块包括加热铝板和用于安装氮化镓器件的安装铝板,所述安装铝板设置在所述加热铝板上,所述加热铝板包括设置在所述安装铝板两侧的加热棒;所述降温模块包括散热筒和与所述散热筒相通的风道,所述散热筒的一端设置有第一风机,所述加热铝板固定在所述散热筒的上端;所述控制模块包括PID温控板、控制所述PID温控板的控制板和输出测试信号的测试板,所述PID温控板与所述加热棒电性连接,所述第一风机、所述PID温控板和所述测试板均分别与所述控制板电性连接。其能对氮化镓器件进行高温测试,在测试中也很容易控制氮化镓器件的温度。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种氮化镓器件老化箱。
背景技术
氮化镓(GaN)是一种具有较大禁带宽度的半导体,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等优点,而成为微波功率晶体管的优良材料,而可以做成微波器件或者充电器。
但现在测试氮化镓器件的高温性能的设备很少,即使有在测试中也不利于控制氮化镓器件的温度。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种氮化镓器件老化箱,其能对氮化镓器件进行高温测试,在测试中也很容易控制氮化镓器件的温度。
本发明的目的采用以下技术方案实现:
一种氮化镓器件老化箱,包括降温模块和设置在所述降温模块上的控制模块和升温模块,所述升温模块包括加热铝板和用于安装氮化镓器件的安装铝板,所述安装铝板设置在所述加热铝板上,所述加热铝板包括设置在所述安装铝板两侧的加热棒;所述降温模块包括散热筒和与所述散热筒相通的风道,所述散热筒的一端设置有第一风机,所述加热铝板固定在所述散热筒的上端;所述控制模块包括PID温控板、控制所述PID温控板的控制板和输出测试信号的测试板,所述PID温控板与所述加热棒电性连接,所述第一风机、所述PID温控板和所述测试板均分别与所述控制板电性连接。
优选的,所述控制模块还包括驱动板和多个第二风机,所述控制板、所述PID温控板和多个第二风机均设置在所述驱动板上,多个第二风机均与所述控制板电性连接,多个第二风机的出风口分别与所述控制板和所述PID温控板相对设置,所述安装铝板与所述第二风机的进风口相对设置。
优选的,所述控制模块还包括散热器,所述散热器设置在所述驱动板上,所述散热器与所述第二风机的出风口相对设置。
优选的,所述控制模块还包括前盖板,所述前盖板垂直固定在所述驱动板的前端,所述前盖板上设置有第一通风孔和连接板,所述第二风机的进风口与所述第一通风孔相对设置,所述连接板上设置有第一多针头接口,所述第一多针头接口与所述控制板电性连接。
优选的,所述散热筒还包括用于采集温度的温度探头,所述温度探头设置在所述散热筒的上端壁并与所述安装铝板接触。
优选的,所述温度探头包括探头本体、固定环、弹簧和挡块,所述挡块固定在所述探头本体上,所述探头本体穿过所述弹簧,所述弹簧的一端与所述挡块抵接另一端与所述固定环抵接,所述散热筒的上端壁包括空腔,所述挡块与所述空腔的上端壁抵接,所述固定环与所述空腔的下端固定连接。
优选的,所述降温模块还包括两个侧板、底板和后盖板,两个侧板垂直固定在所述底板的两端,所述后盖板垂直固定在所述底板的后端,两个侧板、所述底板和所述后盖板形成第一腔室,所述散热筒和所述风道均位于所述第一腔室内。
优选的,所述后盖板上设置有第三风机,所述第三风机的进风口与所述风道相对设置。
优选的,两个侧板上均固定设置有滑轨,所述滑轨上设置有限位块。
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