[发明专利]集总参数型负群时延电路及芯片有效
申请号: | 202110542841.5 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113435147B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 张铁笛;孙小伟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G06F30/32 | 分类号: | G06F30/32;G06F30/337 |
代理公司: | 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 | 代理人: | 邹广春 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 参数 群时延 电路 芯片 | ||
1.一种集总参数型负群时延电路,其特征在于,所述集总参数型负群时延电路的NGD网络包括连接在输入端口和输出端口之间的八个电阻R1-R8和八个电容C1-C8;
其中,所述输入端口分别与R1的一端、C1的一端、R2的一端和C2的一端相连;R1的另一端分别与R5的一端、C5的一端和C4的一端相连;C1的另一端分别与R2的另一端、R6的一端和C6的一端相连;C2的另一端分别与R3的一端、R7的一端和C7的一端相连;R3的另一端、C3的一端、R4的一端和C4的另一端共同连接在R11的一端,R11的另一端接地;C3的另一端分别与R4的另一端、R8的一端和C8的一端相连;C5的另一端与R6的另一端相连,C6的另一端与R7的另一端相连,C7的另一端与R8的另一端相连;C8的另一端和R5的另一端共同连接所述输出端口。
2.根据权利要求1所述的集总参数型负群时延电路,其特征在于,其中R1=R2=R3=R4,R5=R6=R7=R8,C1=C2=C3=C4,C5=C6=C7=C8。
3.根据权利要求2所述的集总参数型负群时延电路,其特征在于,所述输入端口还连接有电阻R9,所述输出端口还连接有电阻R10,电阻R9和R10的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的集总参数型负群时延电路,其特征在于,电阻R9、R10和R11的阻值均配置为50欧姆。
5.一种超宽带高集成度低频负群时延芯片,其特征在于,芯片上设置有权利要求1-4中任一项所述的集总参数型负群时延电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110542841.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。