[发明专利]高带宽连续时间线性均衡电路在审
| 申请号： | 202110542994.X | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN113691234A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 赛马克·德尔沙特伯;刘通;塞缪尔·迈克尔·巴勒莫 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H03H11/04 | 分类号： | H03H11/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带宽 连续 时间 线性 均衡 电路 | ||
1.一种高带宽连续时间线性均衡(HBCTLE)电路，其特征在于，包括：
连续时间线性均衡(CTLE)电路；
增益电路，其与所述CTLE电路的输出耦合；以及
反馈电路，其耦合在所述CTLE电路的所述输出与所述增益电路的输出之间。
2.根据权利要求1所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述增益电路包括第一晶体管对，其中所述第一晶体管对中的晶体管的基极或栅极与所述CTLE电路的所述输出耦合。
3.根据权利要求1所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述反馈电路包括第二晶体管对，其中所述第二晶体管对中的晶体管的基极或栅极与所述增益电路的所述输出耦合。
4.根据权利要求3所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述反馈电路包括第三晶体管对，其中所述第三晶体管对中的晶体管的基极或栅极与所述第二晶体管对耦合。
5.根据权利要求3所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述反馈电路包括第三晶体管对，其中所述第三晶体管对中的晶体管的基极或栅极通过低通滤波器与所述第二晶体管对耦合。
6.根据权利要求2所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述第一晶体管对中的所述晶体管通过退化阻抗耦合在一起。
7.根据权利要求3所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述第二晶体管对中的所述晶体管通过可变退化阻抗耦合在一起。
8.根据权利要求2所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述第二晶体管对中的所述晶体管耦合到低通滤波器。
9.根据权利要求8所述的HBCTLE电路，其特征在于，另外包括第三晶体管对。
10.根据权利要求1所述的HBCTLE电路，其特征在于，所述CTLE电路包括晶体管和CTLE电阻器，其中所述CTLE电阻器耦合在所述晶体管与电源电压之间。
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