[发明专利]一种厚铜箔的预氧化处理方法有效
| 申请号： | 202110543746.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113355629B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 祝林;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 | 申请（专利权）人： | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C8/10 | 分类号： | C23C8/10 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜箔 氧化 处理 方法 | ||
1.一种厚铜箔的预氧化处理方法，其特征在于，铜箔以设置150mm/min～170mm/min之间的速度依次途径预氧化了的三个升温区、四个恒温区以及降温区；
三个升温区依次为温度设置在595℃～610℃之间的第一升温区、温度设置在675℃～690℃之间的第二升温区以及温度设置在745℃～760℃之间的第三升温区；
四个恒温区的温度设置在790℃～810℃之间；
所述铜箔的厚度大于0.4mm；
所述第一升温区氧含量为30～70ppm；
所述第二升温区氧含量为80～100ppm；
所述第三升温区氧含量为1900～2000ppm；
四个恒温区的氧含量为20～30ppm；
降温区的氧含量为0～5ppm；
铜箔位于第一升温区的时间为2～4min；
铜箔位于第二升温区的时间为2～4min；
铜箔位于第三升温区的时间为2～4min；
铜箔位于恒温区的时间为10～15min；
铜箔位于降温区的时间为5～10min。
2.根据权利要求1所述的一种厚铜箔的预氧化处理方法，其特征在于：所述降温区的温度设置在500℃～600℃。
3.根据权利要求1所述的一种厚铜箔的预氧化处理方法，其特征在于：所述第一升温区的长度为380～420mm；
所述第二升温区的长度为380～420mm；
所述第三升温区的长度为380～420mm；
四个恒温区的总长为1500～1800mm。
4.根据权利要求1所述的一种厚铜箔的预氧化处理方法，其特征在于：所述降温区的温度为450℃～550℃，所述降温区的总长为1300～1600mm。
5.根据权利要求1所述的一种厚铜箔的预氧化处理方法，其特征在于：所述铜箔的厚度小于0.8mm，且所述铜箔的氧化增重量为8毫克～12毫克之间。
6.根据权利要求1所述的一种厚铜箔的预氧化处理方法，其特征在于：铜箔以设置155mm/min～160mm/min之间的速度依次途径预氧化了的三个升温区、四个恒温区以及降温区；
三个升温区依次为温度设置在600℃～605℃之间的第一升温区、温度设置在675℃～680℃之间的第二升温区以及温度设置在745℃～750℃之间的第三升温区；
四个恒温区的温度设置在795℃～800℃之间；
所述降温区的温度设置在95℃～500℃；
铜箔位于第一升温区的时间为2～3min；
铜箔位于第二升温区的时间为2～3min；
铜箔位于第三升温区的时间为2～3min；
铜箔位于恒温区的时间为10～12min；
铜箔位于降温区的时间为5～7min。
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