[发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110544112.3 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN113346009A 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 佐佐木智生;盐川阳平 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;丁哲音
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 自旋 轨道 转矩 磁阻 效应 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法,其中,

所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备:

磁阻效应元件,其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层;以及

自旋轨道转矩配线,其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸,并与所述第二铁磁性金属层接合,

所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件的形状为长方形状,

所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法具有:

形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序;

将所述层叠体沿一个方向进行加工的工序;以及

将沿所述一个方向加工后的所述层叠体沿与所述一个方向交叉的另一个方向加工的工序。

2.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法,其中,

所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备:

磁阻效应元件,其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、和被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层;以及

自旋轨道转矩配线,其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸,并与所述第二铁磁性金属层接合,

所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件的形状为长方形状,

所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法具有:

形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序;

在所述层叠体的一面形成掩模的工序,其中,所述掩模具有:从所述层叠体的层叠方向观察能够内切椭圆的长方形区域,和位于所述长方形区域的角部或长边部且从所述长方形区域突出的突出区域;以及

经由所述掩模加工所述层叠体的工序。

3.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法,其中,

所述层叠体的长轴方向是相对于在所述非磁性层流通的电流的方向X,从所述X方向、或与所述X方向正交的Y方向、或所述X方向和所述Y方向的任一方向倾斜的方向。

4.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法,其中,

分别使用氧化膜或氮化膜形成所述磁阻效应元件和所述自旋轨道转矩配线的侧壁。

5.根据权利要求1或2所述的自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法,其中,

同时制作所述自旋轨道转矩配线和所述磁阻效应元件。

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