[发明专利]磁记录介质及磁存储装置

说明书

本发明提供一种顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质。磁记录介质100依次具有基板1、基底层2以及磁性层3。磁性层3具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L1₀结构的磁性粒子，以及晶界部，晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内。晶界部包含硫属元素化物系层状物质。

技术领域

本发明涉及磁记录介质以及磁存储装置。

背景技术

近年来，通过对于磁记录介质，照射近场光或微波以局部地加热，从而使顽磁力降低并进行记录的热辅助记录方式或微波辅助记录方式作为能够实现2Tbit/英寸²左右的高面记录密度的下一代记录方式而受到关注。如果使用这样的辅助记录方式的磁头，则能够容易记录于室温下的顽磁力为数十kOe的磁记录介质。因此，作为磁性层所包含的磁性粒子，能够使用结晶磁各向异性常数(Ku)高的磁性粒子，其结果是能够在维持热稳定性的状态下，将磁性粒子进行微细化。

作为结晶磁各向异性常数(Ku)高的磁性粒子，已知Fe-Pt合金粒子(Ku～7×10⁶J/m³)、Co-Pt合金粒子(Ku～5×10⁶J/m³)等具有L1₀结构的磁性粒子。

另一方面，作为构成具有粒状结构的磁性层所包含的晶界部的材料，已知各种非磁性材料(例如，参照专利文献1～3、非专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-26368号公报

专利文献2：日本特开2017-182861号公报

专利文献3：日本特开2015-130223号公报

非专利文献

非专利文献1：APPLIED PHYSICS LETTERS 104，192404(2014)

发明内容

发明所要解决的课题

然而，期望进一步提高磁记录介质的面记录密度。

为了进一步提高磁记录介质的面记录密度，考虑使磁性层所包含的磁性粒子的粒径进一步变小，使磁性层所包含的磁性粒子的各向异性进一步提高，使磁记录介质的顽磁力进一步提高。

本发明的一方式的目的在于，提供一种顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质。

用于解决课题的方法

(1)一种磁记录介质，其依次具有基板、基底层以及磁性层，上述磁性层具有粒状结构，所述粒状结构包含具有L1₀结构的磁性粒子，以及晶界部，上述晶界部的含量在25体积％～50体积％的范围内，上述晶界部包含硫属元素化物系层状物质。

(2)根据(1)所述的磁记录介质，上述硫属元素化物系层状物质为TiS₂、ZrS₂、HfS₂、VS₂、NbS₂、TaS₂、MoS₂、WS₂、GaS、GeS或SnS₂。

(3)根据(1)或(2)所述的磁记录介质，上述基底层与上述磁性层之间进一步具有包含硼的磁性层。

(4)一种磁存储装置，其具有(1)～(3)中任一项所述的磁记录介质。

发明的效果

根据本发明的一方式，能够提供顽磁力高，磁性层所包含的磁性粒子的粒径小，各向异性高的磁记录介质。