[发明专利]静电放电防护结构

权利要求书

1.一种光电二极管组件，包括：

光电二极管, 包括p掺杂区域、n掺杂区域以及位于所述p掺杂区域与所述n掺杂区域之间的本征区域，其中，三个区域位于不同平面；

波导，所述波导与所述光电二极管通信；

静电放电防护结构，围绕所述光电二极管，与所述p掺杂区域、所述n掺杂区域、所述本征区域中的至少一个区域位于不同平面，其中，所述静电放电防护结构为二极管结构，所述静电放电防护结构包括与所述波导对准的开口；

导电桥，用于将所述开口两侧的静电放电防护结构电连接。

2.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述静电放电防护结构为下面几种结构中的任意一种：

横向结二极管防护环，绝缘体上硅（SOI）栅控二极管防护环和双阱场效应二极管防护环。

3.根据权利要求1或2所述的光电二极管组件，其特征在于，所述静电放电防护结构包括用于传输电荷的重掺杂硅p区域。

4.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述开口与所述波导至所述光电二极管的入口对应。

5.根据权利要求4所述的光电二极管组件，其特征在于，所述开口和所述入口在与所述波导的平面垂直的方向上对应。

6.根据权利要求4或5所述的光电二极管组件，其特征在于，所述开口的数量为两个。

7.根据权利要求4或5所述的光电二极管组件，其特征在于，所述开口中填充在由所述光电二极管检测到的光的波长处光学透明的材料。

8.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述光电二极管的电流传输方向与所述静电放电防护结构的电流传输方向存在夹角。

9.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述静电放电防护结构与所述波导共面，所述静电放电防护结构的开口包括在由所述光电二极管检测到的光的波长处光学透明的结构。

10.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述静电放电防护结构与所述波导不共面，所述静电放电防护结构包括以下中至少之一：

所述静电放电防护结构设置在与所述波导的平面平行的平面中，并且与所述波导充分隔开，使得所述静电放电防护结构减少吸收在由所述光电二极管检测到的光的波长处的光；以及所述静电放电防护结构的开口包括在由所述光电二极管检测到的光的波长处光学透明的结构。

11.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述光电二极管包括Si、SiGe、III-V族材料或其组合。

12.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述静电放电防护结构包括Si、Ge、SiGe、III-V族材料或其任何组合。

13.根据权利要求1所述的光电二极管组件，其特征在于，所述波导包括硅波导。