[发明专利]中波超晶格红外探测器在审
| 申请号： | 202110545359.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113327992A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王国伟;李农;刘冰;朱小贵;李宁;牛智川 | 申请（专利权）人： | 南京国科半导体有限公司;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/11 |
| 代理公司： | 成都市熠图知识产权代理有限公司 51290 | 代理人： | 兰小平 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中波 晶格 红外探测器 | ||
1.一种中波超晶格红外探测器，其特征在于，包括：由下至上依次形成在衬底结构上的下电极接触层、器件核心层和上盖层，所述下电极接触层之上设有下电极，所述上盖层之上设有上电极；所述器件核心层包括：N型InAs/InAsSb超晶格第一接触层、AlGaAsSb势垒层、N型InAs/InAsSb超晶格吸收层和N型InAs/InAsSb超晶格第二接触层，所述AlGaAsSb势垒层和N型InAs/InAsSb吸收层位于InAs/InAsSb超晶格第一接触层和InAs/InAsSb超晶格第二接触层之间，且AlGaAsSb势垒层禁带宽度大于N型InAs/InAsSb超晶格吸收层的禁带宽度。
2.如权利要求1所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述AlGaAsSb势垒层禁带宽度大于N型InAs/InAsSb超晶格吸收层的禁带宽度的2倍。
3.如权利要求1所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述衬底为GaSb层，AlGaAsSb势垒层的组分满足AlxGa1-xAs0.08xSb1-0.08x，其中，x∈(0,1]。
4.如权利要求3所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述AlGaAsSb势垒层厚度为0.05～1μm的非掺杂Al0.5Ga0.5As0.04Sb0.96势垒层。
5.如权利要求1所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述AlGaAsSb势垒层的掺杂类型可以是N型、弱P型或非故意掺杂。
6.如权利要求1所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述下电极接触层为N型掺杂的GaSb层、N型掺杂的InAs0.91Sb0.09层或N型掺杂的InAs/InSb超晶格层。
7.如权利要求1所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述上盖层为N型掺杂的InAs层或N型掺杂的InAs0.91Sb0.09层。
8.如权利要求1～7中任一项所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述器件核心层包括：由下至上依次形成在下电极接触层上的N型InAs/InAsSb超晶格第一接触层、AlGaAsSb势垒层、N型InAs/InAsSb超晶格吸收层和N型InAs/InAsSb超晶格第二接触层。
9.如权利要求1～7中任一项所述的中波超晶格红外探测器，其特征在于，所述器件核心层包括：由下至上依次形成在下电极接触层上的N型InAs/InAsSb超晶格第二接触层、N型InAs/InAsSb超晶格吸收层、AlGaAsSb势垒层和N型InAs/InAsSb超晶格第一接触层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
