[发明专利]晶硅电池背面N层膜提效研发装置

权利要求书

1.一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，设置在工作台（1）上，其特征在于：包括由前端调控组件、左端调控组件、右滑杆（2）和后滑杆（3）围成的框型结构；

所述前端调控组件包括前壳体（4），所述前壳体（4）固定安装在工作台（1）上，其中部设有前调控齿轮（5），上下两侧对称设有前齿条（6），左右两侧对称设有前滑杆（7），所述前调控齿轮（5）由设置在前壳体（4）前侧的前电机（8）配合连接，所述前齿条（6）水平设置，且两前齿条（6）相互平行设置，所述前齿条（6）与前调控齿轮（5）相啮合，所述前滑杆（7）水平设置，且前滑杆（7）与前齿条（6）平行；

所述左端调控组件包括左壳体（9），所述左壳体（9）滑动安装在工作台（1）上，其中部设有左调控齿轮，上下两侧对称设有左齿条（12），前后两侧对称设有左滑杆（11），所述左调控齿轮由设置在左壳体（9）左侧的左电机（10）配合连接，所述左齿条（12）水平设置，且两左齿条（12）相互平行设置，所述左齿条（12）与左调控齿轮相啮合，所述左滑杆（11）水平设置，且左滑杆（11）与左齿条（12）平行；

所述右滑杆（2）和后滑杆（3）均水平设置，其中前端调控组件、左端调控组件、右滑杆（2）和后滑杆（3）围成的框型结构的四个顶角内侧均设有直角卡件（13）。

2.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述前壳体（4）通过安装座（14）固定安装在工作台（1）。

3.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述左壳体（9）的底部均布有四个滑动轮。

4.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述左滑杆（11）与前滑杆（7）间的直角卡件（13）分别与左滑杆（11）、左齿条（12）、前滑杆（7）和前齿条（6）固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述左滑杆（11）与后滑杆（3）间的直角卡件（13）与左滑杆（11）和左齿条（12）固定连接，与后滑杆（3）滑动连接。

6.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述前滑杆（7）与右滑杆（2）间的直角卡件（13）与前滑杆（7）和前齿条（6）固定连接，与右滑杆（2）滑动连接。

7.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述右滑杆（2）和后滑杆（3）间通过滑动连接块（15）连接，所述滑动连接块（15）的内侧与相应的直角卡件（13）固定连接。

8.根据权利要求7所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述滑动连接块（15）的底部设有滑轮。

9.根据权利要求1所述的一种晶硅电池背面N层膜提效研发装置，其特征在于：所述前端调控组件、左端调控组件、右滑杆（2）和后滑杆（3）围成的框型结构中间设有支撑台（16），所述支撑台（16）滑动设置在工作台（1）顶面上。