[发明专利]一种金属表面镀制DLC薄膜的方法及其应用在审
申请号: | 202110545500.3 | 申请日: | 2021-05-19 |
公开(公告)号: | CN113403611A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 祝闻;郭金滔;苏志军;李文芳;罗有斌;易爱华;廖忠淼;李康;陈肯 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/27 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 肖云 |
地址: | 523808 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属表面 dlc 薄膜 方法 及其 应用 | ||
1.一种金属表面镀制DLC薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
S1、对基体材料进行预处理;
S2、采用微波等离子体化学气相沉积法在基体材料表面镀制DLC薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中,基体材料采用金属材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述金属材料选自医用不锈钢、钴及其合金、钛及其合金、镍及其合金或镁及其合金。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,预处理包括抛光处理和超声清洗步骤。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S2中,在基体材料表面镀制类DLC薄膜的工艺参数包括:温度500~1000℃,含CH4和H2的气体,所述气体的引入流量为200~400sccm,气体注入时间为5~180分钟,DLC膜的沉积时间为5~180分钟。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,CH4和H2的注入比例为5~30:185~390。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,气体注入时间优选为5~120分钟。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,DLC膜的沉积时间优选为30~60分钟。
9.一种根据权利要求1-8任一项所述的方法制备得到的金属表面镀制的DLC薄膜。
10.根据权利要求9所述DLC薄膜在制备医用植入材料或医疗器械中的应用。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的