[发明专利]一种CoolMOS器件制作方法

说明书

本发明公开了一种CoolMOS器件制作方法，包括如下步骤1)场氧生长，分压环打开，分压环注入退火；2)有源区打开；3)有源区内加工深沟槽；4)栅氧生长，多晶硅栅淀积、光刻、刻蚀；5)PWELL阱层注入退火；6)源区N+光刻，N+注入，退火；7)TEOS淀积，铝下钝化硼磷硅玻璃生长，回流；8)引线孔光刻，孔刻蚀；9)正面金属化形成；10)减薄；11)背面金属化形成；12)CP测试入库。本发明属于半导体制造技术领域，具体是提供了一种在PWELL内进行深沟槽刻蚀，在槽内淀积TEOS厚氧，利用多晶场板屏蔽原理加上底部PN结原理，实现在浓外延条件下的高压输出，降低内阻的CoolMOS器件制作方法。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体是指一种CoolMOS器件制作方法。

背景技术

目前COOLMOS结构设计主要有二类，一类是采用多次外延多次光刻的加工工艺形成P柱结构，另一类是采用深沟槽填允P型外延形成P柱结构，二种方法各有特点，目前已有的二种方法都是利用P柱与N型电流通道电荷平衡法实现浓外延层高压VDMOS，实现低内阻的目标，但共性就是要进行外延生长，成本高，加工周期长，对产线要求高，国内只有几家产线能加工且有严格的专利保护，设计加工门槛较高。

发明内容

为解决上述现有难题，本发明提供了一种在PWELL内进行深沟槽刻蚀，在深沟槽内淀积TEOS厚氧，然后采用等离子刻蚀，把深沟槽底部TOES膜刻尽，然后再进行底部P型杂质注入，再淀积多晶硅，多晶硅回刻，最后把多晶硅与PWELL阱层一起开孔短接，相当于槽内多晶硅与源极S短接接地，利用多晶场板屏蔽原理加上底部PN结原理，实现在浓外延条件下的高压输出，降低内阻的CoolMOS器件制作方法。

本发明采用的技术方案如下：一种CoolMOS器件制作方法，包括以下步骤：

1)场氧生长，分压环打开，分压环注入退火；

2)有源区打开；

3)有源区内加工深沟槽，深沟槽内TEOS厚氧淀积形成TOES膜，TOES膜生长固化，等离子刻蚀，深沟槽底部P型杂质注入，深沟槽内源极沟槽多晶硅栅淀积，源极沟槽多晶硅栅回刻；

4)栅氧生长，多晶硅栅淀积，多晶硅栅光刻，多晶硅栅刻蚀；

5)PWELL阱层注入退火；

6)源区N+光刻，N+注入，退火；

7)TEOS淀积，铝下钝化硼磷硅玻璃生长，回流；

8)引线孔光刻，孔刻蚀；

9)正面金属化形成；

10)减薄；

11)背面金属化形成；

12)CP测试入库。