[发明专利]一株变形假单胞菌J-T3及其制备方法和应用

权利要求书

1.一株变形假单胞菌(Pseudomonasplecoglossicida)J-T3，其特征在于，所述变形假单胞菌J-T3的保藏编号为CGMCC No.22137。

2.权利要求1所述的变形假单胞菌J-T3的培养方法，包括以下步骤：

将权利要求1所述的变形假单胞菌J-T3置于种子培养基中进行种子培养得到种子液，将种子液接种于发酵培养基中进行发酵培养得到2-酮基葡萄糖酸。

3.根据权利要求2所述的培养方法，其特征在于，所述种子培养基包括碳源、氮源和添加剂；

所述碳源包括结晶葡萄糖和/或葡萄糖水溶液；所述氮源包括玉米浆和/或酵母膏和/或牛肉膏和/或尿素；所述添加剂包括磷酸二氢钾和/或七水硫酸镁和/或轻质碳酸钙。

4.根据权利要求3所述的培养方法，其特征在于，当所述碳源为结晶葡萄糖时，所述结晶葡萄糖在所述种子培养基中的添加量为10～50g/L；当所述氮源为玉米浆和尿素时，所述玉米浆和尿素在所述种子培养基中的添加量为：玉米浆干粉5.0g/L、尿素2.0g/L；当所述添加剂为磷酸二氢钾、七水硫酸镁和轻质碳酸钙时，所述磷酸二氢钾、七水硫酸镁和轻质碳酸钙在所述种子培养基中的添加量为：磷酸二氢钾2.0g/L、七水硫酸镁0.5g/L和轻质碳酸钙1.0g/L；所述种子培养基的pH值为6.5～7.2。

5.根据权利要求2所述的培养方法，其特征在于，所述种子培养过程中，温度为28℃～40℃，转速为200～300r/min，培养的时间为16～18h。

6.根据权利要求2所述的培养方法，其特征在于，所述发酵培养基包括碳源、氮源和中和剂；

所述碳源包括结晶葡萄糖和/或葡萄糖水溶液；所述氮源包括玉米浆干粉；所述中和剂包括轻质碳酸钙和/或氢氧化钠和/或氧化钙和/或碳酸钠。

7.根据权利要求6所述的培养方法，其特征在于，当所述碳源为结晶葡萄糖时，所述结晶葡萄糖在所述发酵培养基中的添加量为90～200g/L；当所述氮源为玉米浆干粉时，所述玉米浆干粉在所述发酵基中的添加量为：玉米浆干粉10.0g/L；当所述中和剂为轻质碳酸钙时，所述轻质碳酸钙在所述发酵培养基中的添加量为：45.0g/L；所述发酵培养基pH值为6.0～7.2。

8.根据权利要求2所述的培养方法，其特征在于，所述发酵培养过程中，所述种子液与发酵培养基的体积比为1:(10～20)；所述培养的温度为28℃～40℃，培养的时间为52～64h。

9.权利要求1所述的变形假单胞菌J-T3或权利要求2～8任一项所述的培养方法培养得到的变形假单胞菌J-T3在高温胁迫条件下生产2-酮基葡萄糖酸中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述高温胁迫条件为38℃～42℃。