[发明专利]一种全集成带通滤波射频功率放大器芯片

权利要求书

1.一种全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，包括：

输入端口，用于接收输入的射频信号；

输入匹配电路，连接所述输入端口；

晶体管，所述晶体管的栅极连接所述输入匹配电路的输出端，由所述输入匹配电路匹配所述晶体管的源阻抗，所述晶体管用于对所述射频信号进行功率放大，所述晶体管的栅极和漏极上分别添加直流偏置；

带通滤波输出匹配电路，连接所述晶体管的漏级，所述带通滤波输出匹配电路用于对功率放大后的所述射频信号进行带通滤波并匹配所述晶体管的负载阻抗；

输出端口，连接所述带通滤波输出匹配电路的输出端，以输出经功率放大和带通滤波处理后的所述射频信号；

所述输入端口、所述输入匹配电路、所述晶体管、所述带通滤波输出匹配电路以及所述输出端口是在设定材料衬底上进行多层金属生长集成得到的。

2.根据权利要求1所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述输入匹配电路包括依次设置并联接地的第一电容、串联的第一电感、串联的第二电容和并联接地的第二电感。

3.根据权利要求2所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述晶体管由设定数量的异质结双极晶体管并联构成。

4.根据权利要求3所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述带通滤波输出匹配电路包括依次设置的串联的第三电容、并联接地的第四电容、串联的第五电容、并联接地的第六电容以及串联的第七电容；所述第五电容两侧分别连接第三电感和第四电感的第一端，所述第三电感和第四电感的第二端连接并串联第五电感接地。

5.根据权利要求4所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述晶体管栅极和漏级分别连接第一直流偏置电路和第二直流偏置电路，用于对所述晶体管提供预设的直流偏置电压。

6.根据权利要求5所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述设定材料衬底为砷化镓衬底。

7.根据权利要求6所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述第一电容、所述第二电容、所述第三电容、所述第四电容、所述第五电容、所述第六电容和所述第七电容均为MIM电容；所述第一电感、所述第二电感、所述第三电感、所述第四电感和所述第五电感为片上螺旋电感。

8.根据权利要求7所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述晶体管由12个2*20μm的2指InGaP/GaAs异质结双极晶体管并联构成；

所述第一电容为0.59pF、所述第二电容为1.05pF、所述第三电容为1.92pF、所述第四电容为0.01pF、所述第五电容为0.59pF、所述第六电容为0.66pF、所述第七电容为0.18pF；

所述第一电感为1.57nH、所述第二电感为0.264nH、所述第三电感为0.23nH、所述第四电感为0.39nH和所述第五电感为0.57nH；所述晶体管的漏极电压和栅极电压均为5V。

9.根据权利要求1所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述输入端口和所述输出端口均采用G-S-G结构，所述输入端口和所述输出端口均由三个焊盘组成，其中中间焊盘用于传输所述射频信号，其余两个焊盘通过与焊盘并联的过孔与所述设定材料衬底下的地面连接。

10.根据权利要求1所述的全集成带通滤波射频功率放大器芯片，其特征在于，所述晶体管的栅极和漏极分别连接一焊盘用于添加直流偏置。