[发明专利]一种微机电系统封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种微机电系统封装结构的制备方法，所述微机电系统封装结构包括硅基底、在所述硅基底上图案化制备得到的MEMS器件结构，以及用于对所述MEMS器件结构进行键合封装的盖板；所述硅基底背面还依次设置有第二金属层和第一金属层，所述第一金属层和第二金属层的总厚度不低于5μm；所述第一金属层和第二金属层采用的金属种类相同或不同；所述第一金属层和第二金属层用于保护所述MEMS器件结构在键合封装时不受破坏，同时用于释放刻蚀过程中产生的热量；其特征在于，包括如下步骤：

在硅基底正面图案化制备MEMS器件结构；

在硅基底背面形成第二金属层；

在第二金属层背面形成第一金属层；

在硅基底正面刻蚀该MEMS器件结构；

将硅基底和盖板键合封装，再划片；

去除硅基底背面的第一金属层和第二金属层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：通过溅射法、热蒸发法或电子束蒸发法形成第二金属层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：通过电镀工艺形成第一金属层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：通过深等离子体刻蚀工艺刻蚀MEMS器件结构。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：采用激光划片机进行划片。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一金属层的厚度大于所述第二金属层的厚度。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一金属层的厚度为5μm-10μm，所述第二金属层的厚度为200nm-800nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一金属层采用的材料为铝、铬、铜、金中的一种或多种，所述第二金属层采用的材料为铝、铬、铜、金中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述盖板为硅基板。