[发明专利]一种高质量碳化硅衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种高质量碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的平整度指标warp＜20μm，bow＜20μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过10Ω·cm；

SF3R0.5μm，SF3R为1cm*1cm；

所述碳化硅衬底的制备方法包括以下步骤：

(1)将需要退火的碳化硅晶体以上表面朝上放置于石墨载具的第一罩盖和第二罩盖之间；所述第一罩盖包括第一盖板，所述第二罩盖包括第二盖板，第一盖板和第二盖板的边缘通过支撑柱连接；

(2)将放置有碳化硅晶体的石墨载具置于炉体中，对石墨载具进行加热以进行碳化硅的退火处理；所述碳化硅晶体的上下表面覆盖的所述第一盖板和第二盖板，在退火时，所述第一盖板和第二盖板散热，以降低碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力；

(3)对退火处理后的碳化硅晶体进行切割和研磨，得到所述碳化硅衬底。

2.根据权利要求1所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的平整度指标warp＜18μm，bow＜15μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过5Ω·cm。

3.根据权利要求2所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过3Ω·cm。

4.根据权利要求1所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，所述衬底的表面粗糙度＜0.08nm，所述衬底的面型数据：

TTV＜10μm，LTV＜1.5μm，其中，LTV为1cm*1cm。

5.根据权利要求4所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，

所述衬底的表面粗糙度＜0.07nm，所述衬底的面型数据：

TTV＜6μm，LTV＜1μm，SF3R0.3μm。

6.根据权利要求5所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，所述衬底的表面粗糙度＜0.06nm，所述衬底的面型数据：

TTV＜4μm，LTV＜0.5μm，SF3R0.1μm。

7.根据权利要求1所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的凹坑缺陷的密度＜1个/cm²，凸起缺陷的密度＜1个/cm²。

8.根据权利要求7所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，

所述碳化硅衬底的凹坑缺陷的密度＜0.5个/cm²，凸起缺陷的密度＜0.5个/cm²。

9.根据权利要求8所述的高质量碳化硅衬底，其特征在于，

所述碳化硅衬底的凹坑缺陷的密度＜0.2个/cm²，凸起缺陷的密度＜0.2个/cm²。

10.一种高质量碳化硅衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将需要退火的碳化硅晶体以上表面朝上放置于石墨载具的第一罩盖和第二罩盖之间；所述第一罩盖包括第一盖板，所述第二罩盖包括第二盖板，第一盖板和第二盖板的边缘通过支撑柱连接；

(2)将放置有碳化硅晶体的石墨载具置于炉体中，对石墨载具进行加热以进行碳化硅的退火处理；所述碳化硅晶体的上下表面覆盖的所述第一盖板和第二盖板，在退火时，所述第一盖板和第二盖板散热，以降低碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力；

(3)对退火处理后的碳化硅晶体进行切割和研磨，得到所述碳化硅衬底。

11.根据权利要求10所述的高质量碳化硅衬底的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述碳化硅晶体以籽晶面朝上，生长面朝下放置。

12.根据权利要求11所述的高质量碳化硅衬底的制备方法，其特征在于，

所述籽晶面与第一盖板之间的距离为0～10mm，所述生长面与第二盖板之间的距离为0～10mm。