[发明专利]一种金属纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 202110547716.3 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113385680B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 温嘉红;赵晓宇;杨志峰;王雅新;张永军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B22F9/06 | 分类号： | B22F9/06;B22F1/054;B82Y40/00;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/20;C23C14/22;C23C14/35;C23C14/58;G01N21/65 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 何俊 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（A）在硅衬底上自组装出密排的PS胶体球阵列，得到有序PS 胶体球阵列模板；
（B）在步骤（A）中得到的有序PS 胶体球阵列模板表面磁控溅射一层金属膜，形成金属纳米帽子阵列（MFON）；
（C）在步骤（B）金属纳米帽子阵列（MFON）表面继续溅射氧化物薄膜，重复步骤（B）和（C）0-9次得到纳米柱[M/(XaOb)]n(n=1-10)多层膜结构；
（D）将步骤（C）中得到的纳米柱[M/(XaOb)]n(n=1-10)多层膜结构除去PS 胶体球阵列后进行退火处理，即得金属纳米片；
步骤（B）中的金属为Ag，步骤（D）中退火温度为800℃；
步骤（B）中金属膜的厚度为50 nm；
步骤（C）中氧化物薄膜的厚度为10 nm；
步骤（C）中氧化物薄膜为SiO2薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种金属纳米片的制备方法，其特征在于，步骤（A）中PS胶体球的直径为200-500 nm。
3.根据权利要求1所述的一种金属纳米片的制备方法，其特征在于，步骤（A）中硅衬底先被处理成亲水性，再进行自组装。
4.根据权利要求1所述的一种金属纳米片的制备方法，其特征在于，步骤（D）中退火处理在管式炉中进行，且退火前通入Ar气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110547716.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：终端、云端校验自主定制服务的方法及系统
- 下一篇：一种高效有机肥料及其应用
