[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底；

第一谐振器，设置在所述衬底上，所述第一谐振器包括第一谐振腔，所述第一谐振器还包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层位于所述衬底上，所述第一谐振腔位于所述第一反射层和所述第二反射层之间；

第二谐振器，设置在所述第一谐振器上，所述第二谐振器包括第二谐振腔，所述第二谐振器还包括第二反射层和第三反射层，所述第二谐振腔位于所述第二反射层上，所述第三反射层位于所述第二谐振腔上，所述第二谐振腔的谐振频率大于所述第一谐振腔的谐振频率，所述第一谐振腔和所述第二谐振腔的材料不同；

其中，所述第二谐振器上还包括绝缘层和第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且所述第一电极与所述第三反射层接触；

其中，所述第二谐振腔内包括有源层，所述有源层用于发射第一光束；

其中，部分所述第一光束垂直耦合至所述第一谐振腔内，形成第二光束；所述第一光束的波长和所述第二光束的波长不同，所述第一光束和所述第二光束通过所述第二谐振器出射。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一反射层，所述第二反射层和所述第三反射层的材料不同。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二谐振腔的谐振频率和所述第一谐振腔的谐振频率的差值为30-200GHz。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，当所述第一谐振腔替换所述第二谐振腔时，所述第二谐振腔替换所述第一谐振腔。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一谐振腔的厚度大于所述第二谐振腔的厚度。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第三反射层内设置有电流限制层，通过所述电流限制层定义出光口。

7.一种垂直腔面发射激光器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成第一谐振器于所述衬底上，所述第一谐振器包括第一谐振腔，所述第一谐振器还包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层位于所述衬底上，所述第一谐振腔位于所述第一反射层和所述第二反射层之间；

形成第二谐振器于所述第一谐振器上，所述第二谐振器包括第二谐振腔，所述第二谐振器还包括第二反射层和第三反射层，所述第二谐振腔位于所述第二反射层上，所述第三反射层位于所述第二谐振腔上，所述第二谐振腔的谐振频率大于所述第一谐振腔的谐振频率，所述第一谐振腔和所述第二谐振腔的材料不同；

其中，所述第二谐振器上还包括绝缘层和第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且所述第一电极与所述第三反射层接触；

其中，所述第二谐振腔内包括有源层，所述有源层用于发射第一光束；

其中，部分所述第一光束垂直耦合至所述第一谐振腔内，形成第二光束；所述第一光束的波长和所述第二光束的波长不同，所述第一光束和所述第二光束通过所述第二谐振器出射。

8.一种激光设备，其特征在于，包括：

基板；

至少一垂直腔面发射激光器，设置在所述基板上，所述垂直腔面发射激光器包括：

衬底；

第一谐振器，设置在所述衬底上，所述第一谐振器包括第一谐振腔，所述第一谐振器还包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层位于所述衬底上，所述第一谐振腔位于所述第一反射层和所述第二反射层之间；

第二谐振器，设置在所述第一谐振器上，所述第二谐振器包括第二谐振腔，所述第二谐振器还包括第二反射层和第三反射层，所述第二谐振腔位于所述第二反射层上，所述第三反射层位于所述第二谐振腔上，所述第二谐振腔的谐振频率大于所述第一谐振腔的谐振频率，所述第一谐振腔和所述第二谐振腔的材料不同；

其中，所述第二谐振器上还包括绝缘层和第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且所述第一电极与所述第三反射层接触；

其中，所述第二谐振腔内包括有源层，所述有源层用于发射第一光束；

其中，部分所述第一光束垂直耦合至所述第一谐振腔内，形成第二光束；所述第一光束的波长和所述第二光束的波长不同，所述第一光束和所述第二光束通过所述第二谐振器出射。