[发明专利]一种低失调差分输出的电路结构在审

专利信息
申请号: 202110549727.5 申请日: 2021-05-20
公开(公告)号: CN113114145A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 宜矽源半导体南京有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 211100 江苏省南京市江北*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 失调 输出 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种解决因离散参数的器件,存在温漂、差数离散化等情况而无法对差分信号进行处理的电路结构,包含第一晶体管Q1,第一MOS管Q2,第二MOS管Q3,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第四电阻R4,第五电阻R5,第六电阻R6,第七电阻R7,第八电阻R8,第一电容C1,第二电容C2,第一误差放大器(AMP1)。第一MOS管Q2的栅极连接到Vin1,第一MOS管Q2的源极通过电阻R8连接到V-,第一MOS管Q2的漏极分别连接到Vout1和通过第四电阻R4和第一电阻R1连接到第一晶体管Q1的发射极,通过第四电阻R4和第二电阻R2连接到V+,并通过第六电阻R6连接到第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端;第二MOS管Q3的栅极连接到Vin2,第二MOS管的源极通过第八电阻R8连接到V-,第二MOS管的漏极连接到Vout2,通过第七电阻R7连接到第一误差放大器的正信号输入端,且通过第五电阻R5连接到V+;第一误差放大器(AMP1)的正信号输入端通过第一电容C1连接到地,第一误差放大器(AMP1)的负信号输入端通过第二电容C2连接到第一晶体管Q1的发射极,第一误差放大器(AMP1)的输出端通过第三电阻R3连接到第一晶体管Q1的基极,第一误差放大器(AMP1)的正电源输入端连接到V+,负电源输入端连接到V-;第一晶体管Q1的集电极连接到V-。

2.该电路结构通过两个低噪声,低偏置的MOS管对信号进行放大,但由于MOS管的离散特性,需要通过一个误差放大器,对其进行补偿,使其流过MOS管的电流根据各管参数的不同进行调整,从而输出的放大倍数一致;电阻R7和电容C1组成RC电路过滤交流信号,电阻R6和电容C2起到同样的作用;电阻R1,R2,R4,R5,R8用来设置MOS管直流偏置电压。

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