[发明专利]一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置

权利要求书

1.一种采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，包括密封腔、加热结构、保温结构、测温机构、旋转机构和升降机构；所述保温结构设置于所述密封腔内；所述加热结构设置于所述保温结构内，所述测温机构设置于所述密封腔上；坩埚设置于所述保温结构内，籽晶托设置于所述坩埚内；

所述旋转机构用于驱动所述坩埚的旋转，所述升降机构用于驱动所述坩埚的升降，或，所述旋转机构用于驱动所述籽晶托的旋转，所述升降机构用于驱动所述籽晶托的升降。

2.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述旋转升降机构设置于所述坩埚的底部或顶部；或，所述旋转升降机构设置于所述坩埚内上部，所述籽晶托设置于所述旋转升降机构底部。

3.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述密封腔包括腔体、上法兰和下法兰，所述上法兰可开启的设置于所述腔体顶部，所述下法兰可开启的设置于所述腔体底部；所述腔体上设置有抽气口。

4.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述加热结构包括上部加热区域、下部加热区域和中部加热区域；所述上部加热区域、所述下部加热区域和所述中部加热区域独立运行或组合运行；所述上部加热区域设置于所述保温结构内上部；所述下部加热区域设置于坩埚的底部；所述中部加热区域设置于所述坩埚的四周。

5.根据权利要求4所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述上部加热区域、所述下部加热区域和所述中部加热区域均包括多个独立运行或组合运行的加热电阻。

6.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述测温机构包括上部测温设备、下部测温设备和中部测温设备，所述上部测温设备和所述下部测温设备分别设置于所述密封腔顶部和底部，所述中部测温设备位于密封腔的中部。

7.根据权利要求6所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，其特征在于，所述上部测温设备、所述下部测温设备和中部测温设备为红外测温仪或者热电偶。

8.根据权利要求1所述的采用PVT法制备碳化硅单晶的生长装置，密封腔结构为双夹套水冷结构。