[发明专利]一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置

权利要求书

1.一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，包括密封腔、加热结构、保温结构、调温结构、坩埚和测温机构；所述保温结构设置于所述密封腔内；所述调温结构位于保温结构内，所述加热结构设置于所述保温结构内，所述测温机构设置于所述密封腔上；所述保温结构内用于设置坩埚，所述坩埚内设置有籽晶托。

2.根据权利要求1所述的用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，所述加热结构包括上副加热电阻和下主加热电阻；所述上副加热电阻和所述下主加热电阻独立运行；所述上副加热电阻设置于所述保温结构内上部；所述下主加热电阻设置于坩埚的四周。

3.根据权利要求2所述的用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，所述上副加热电阻和所述下主加热电阻分别设置有一组电极，分别为上电极和下电极，上电极为两相加热，下电极为三相加热，所述上电极和所述下电极与所述密封腔之间由法兰和O型圈或金属垫片进行密封。

4.根据权利要求1所述的用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，所述保温结构包括保温结构上盖、保温结构筒体和保温结构下盖。

5.根据权利要求1所述的用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，调温结构包括第一上部调温环、第二上部调温环和下部调温环；第一上部调温环和第二上部调温环位于坩埚上部，下部调温环位于坩埚底部。

6.根据权利要求1所述的用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，所述坩埚包括坩埚上盖、籽晶托、籽晶、坩埚衬盖、坩埚小内衬、坩埚大内衬、多孔坩埚料盒或多孔石墨材料盒、坩埚体、坩埚下盖、坩埚支撑；所述坩埚体顶部敞口，所述坩埚上盖设置于所述坩埚体顶部，所述籽晶托设置于所述坩埚大内衬与所述坩埚上盖之间，所述籽晶位于所述籽晶托底部，所述坩埚衬盖位于坩埚大内衬上部，所述坩埚大内衬设置于所述坩埚体内上部，所述坩埚小内衬设置于所述坩埚大内衬内侧，所述多孔坩埚料盒或多孔石墨材料盒居中放置于所述坩埚下盖底部，所述坩埚体位于坩埚下盖上部，所述坩埚下盖底部设置有所述坩埚支撑，所述坩埚支撑高度可调，所述坩埚衬盖位于坩埚大内衬上部；所述坩埚上盖设计为中间开孔及台阶结构为阶梯式结构。

7.根据权利要求1所述的用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，所述测温机构包括上测温设备和下测温设备，所述上测温设备和所述下测温设备分别设置于所述密封腔顶部和底部。

8.根据权利要求7所述的用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，其特征在于，所述上测温设备和所述下测温设备均为红外测温仪或热电偶，或，所述上测温设备和所述下测温设备为红外测温仪与热电偶联合使用。