[发明专利]一种掩模基版及其制备方法和光罩

权利要求书

1.一种掩模基版，其特征在于，该掩模基版包括：透明基板、遮光膜、防反射膜和光刻胶层，在所述反射膜和所述光刻胶层之间还设置有防反射膜氧化膜；所述光刻胶层为化学放大型光刻胶。

2.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述防反射膜氧化膜厚度为

3.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述防反射膜氧化膜厚度为

4.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述遮光膜的组分选自CrN和/或CrCN。

5.根据权利要求1所述的掩模基版，其特征在于，所述防反射膜的组分选自CrO、CrON和CrCON中的一种或多种。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的掩模基版，其特征在于，所述透明基板上依次覆有所述遮光膜、所述防反射膜、所述防反射膜氧化膜和所述光刻胶层。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的掩模基版，其特征在于，所述透明基板上依次覆有相移反位膜、所述遮光膜、所述防反射膜、所述防反射膜氧化膜和所述光刻胶层。

8.一种权利要求1-6任意一项所述的掩模基版的制备方法，该方法包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上沉积遮光膜；

在所述遮光膜上沉积防反射膜；

在所述防反射膜上氧化形成防反射膜氧化膜；

在所述防反射膜氧化膜上涂覆光刻胶，形成光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的掩模基版的制备方法，其特征在于，所述防反射膜氧化膜是使用液体氧化物或气体氧化物对所述防反射膜进行氧化形成的；

所述液体氧化物包括臭氧水和/或二氧化碳水；

所述气体氧化物包括氩气、氧气和二氧化碳中的两种或以上的任意组合。

10.根据权利要求8所述的掩模基版的制备方法，其特征在于，所述遮光膜和/或所述防反射膜通过溅射沉积工艺制备，所述溅射沉积工艺中是以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，并通入反应气体，形成所述遮光膜和/或所述防反射膜。

11.一种采用权利要求1-7任意一项所述的掩模基版制成的光罩，所述光罩是在所述掩模基版上通过对所述光刻胶层进行曝光、蚀刻后形成的。