[发明专利]石英晶片的加工方法

说明书

本发明提供了一种石英晶片的加工方法，该方法包括：配制混合溶液，所述混合溶液由氟化氢铵溶液和碱性溶液组成，其中碱性溶液浓度占比5％～20％；表面腐蚀处理，将原片放置于所述混合溶液中，对所述原片表面进行化学腐蚀；清洗烘干，及时对所述原片表面残留的混合溶液进行清洗，烘干得到薄化后的石英晶片。本发明是在氟化氢铵饱和溶液中添加氢氧化钠溶液或其他碱性溶液，氟化氢铵溶液与碱性溶液混合会发生酸碱中和反应，使混合溶液中的H⁺离子浓度降低，从而减小腐蚀溶液在石英晶片不同晶面上腐蚀速率的差异，实现改善石英晶片表面粗糙度的效果，方案所添加的原材料比较容易获得，成本低，工艺简单，适合批量生产。

技术领域

本发明属于压电石英晶片生产技术领域，涉及一种石英晶片的加工方法。

背景技术

随着5G市场的发展，越来越多的电子技术领域需求更高频率的石英晶体，且要求石英晶体的阻抗和温度特性更好。

石英晶体的频率越高所要求的石英晶片就越薄，当石英晶片的厚度小于一定值后，传统的机械研磨工艺加工难度就更大，加工过程良率也越低，甚至无法加工；就需要用其他方法使石英晶片变薄，常用的方法就是湿法腐蚀，也既是使用氟化氢铵或氢氟酸溶液腐蚀石英晶片，使其厚度达到要求的值，当石英晶片被腐蚀一定厚度后，由于其各项异性的特点，氟化氢铵或氢氟酸溶液在石英晶片表面晶格结构不同位置的腐蚀速率会产生差异，从而出现腐蚀后的石英晶片表面粗糙度比较大，难以达到要求的粗糙度。传统方法中也使用光刻、干法腐蚀或者高造价的湿法腐蚀设备实现石英晶片厚度减薄，但这些方式所需要的设备价格比较高，相对加工成本很高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：本发明提供一种石英晶片的加工方法，用以解决现有加工方法中采用腐蚀工艺会造成石英晶片表面粗糙度较大的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

本发明提供一种石英晶片的加工方法，所述加工方法包括：

配制混合溶液，所述混合溶液由氟化氢铵溶液和碱性溶液组成，其中碱性溶液在所述混合溶液中占比5％～20％；

表面腐蚀处理，将原片放置于所述混合溶液中，对所述原片表面进行化学腐蚀；

清洗烘干，及时对所述原片表面残留的混合溶液进行清洗，烘干得到薄化后的石英晶片。

作为优选地，所述氟化氢铵溶液为氟化氢铵饱和溶液或氟化氢铵非饱和溶液。

作为优选地，所述碱性溶液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液中的其中一种，所述氢氧化钠溶液或所述氢氧化钾溶液由氢氧化钠粉末或氢氧化钾粉末配制而成。

作为优选地，所述碱性溶液的浓度为50％～80％。

作为优选地，所述表面腐蚀处理之前还包括将原片放置于研磨机上进行精细研磨处理。

作为优选地，所述原片为石英晶片或石英方片中的其中一种。

作为优选地，所述将原片放置于所述混合溶液中，对所述原片表面进行化学腐蚀包括：

将所述原片放置于腐蚀篮或腐蚀网中，使原片完全浸入所述混合溶液进行腐蚀反应，控制所述混合溶液的温度不大于60℃，在所述原片浸泡预定时间后，取出。

作为优选地，所述原片完全浸入所述混合溶液进行腐蚀反应还包括：

控制所述原片在所述混合溶液中摆动，以加速原片表面的离子交换速率。

作为优选地，所述原片完全浸入所述混合溶液进行腐蚀反应还包括：

控制所述混合溶液流动，以加速原片表面的离子交换速率。