[发明专利]一种压电薄膜体声波谐振器在审
| 申请号： | 202110552192.7 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113452339A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 鲍景富;李亚伟;梁起;吴兆辉;龚柯源;石斌 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压电 薄膜 声波 谐振器 | ||
1.一种压电薄膜体声波谐振器，包括：硅基衬底(100)、压电薄膜(200)、输入电极(301)、输出电极(302)，其中，所述硅基衬底通过刻蚀形成空腔结构，所述压电薄膜设置于硅基衬底的上表面，所述输入电极与输出电极构成叉指换能器、且设置于压电薄膜上表面；其特征在于，所述压电薄膜体声波谐振器还包括：第一杂散抑制结构，所述叉指换能器的每一条指条电极的末端均设置有一个第一杂散抑制结构，所述第一杂散抑制结构为[电极层金属块-(中间层金属块-顶层金属块)n]多层结构，1n5。
2.按权利要求1所述压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器的每一条指条电极的始端还设置有一个第二杂散抑制结构、且该第二杂散抑制结构与相邻指条电极上的第一杂散抑制结构位于同一直线上，所述第二杂散抑制结构与第一杂散抑制结构具有相同结构。
3.按权利要求1所述压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述杂散抑制结构中，所述电极层金属块、中间层金属块及顶层金属块的形状相同，所述电极层金属块、中间层金属块及顶层金属块的尺寸从下往上均相同、或者依次递减。
4.按权利要求1所述压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述顶层金属块的质量密度大于中间层金属块，所述中间层金属块的质量密度大于电极层金属块。
5.按权利要求1所述压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜200采用铌酸锂(LiNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)材料，其材料切型选择ZX-cut或128°YX-cut晶圆。
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