[发明专利]高纯度钛粉、钨钛合金溅射靶材的制备方法及系统在审
| 申请号： | 202110553332.2 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113275589A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈箫箫;林胜乐;高利 | 申请（专利权）人： | 亚芯半导体材料（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/30 | 分类号： | B22F9/30;B22F1/00;C23C14/34;C23C16/14 |
| 代理公司： | 常州市权航专利代理有限公司 32280 | 代理人： | 赵慧 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 钛合金 溅射 制备 方法 系统 | ||
1.一种高纯度钛粉的制备方法，其特征在于，
采用气相沉积法，将钛的卤化物加热分解，以制得高纯度钛粉。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述钛的卤化物为四碘化钛。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述钛的卤化物加热分解的加热温度为1000～1500℃。
4.一种采用如权利要求1所述的制备方法制得的高纯度钛粉，其特征在于，
所述高纯度钛粉的纯度不低于99.99％。
5.一种钨钛合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，先用氩气吹扫整个管路后，关闭各管路，以排除各管路内的残留空气；
步骤S2，将氢气和六氟化钨分别通入反应器内，以使氢气将六氟化钨还原成高纯金属钨并沉积在基体材料上；
步骤S3，向钛的卤化物原料罐内通入氩气，并对其加热，以将四碘化钛分解后通入反应器内并沉积于基体材料，制得钨钛合金溅射靶材。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
所述氢气与六氟化钨的摩尔比为3：1。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
所述步骤S2中，将六氟化钨加热至120～180℃，所述基体材料的温度为550～650℃。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
所述步骤S3中，对钛的卤化物加热的加热温度为200～350℃；
所述基体材料的温度为900～1500℃。
9.一种采用如权利要求8所述的制备方法制得的钨钛合金溅射靶材，其特征在于，
所述钨钛合金溅射靶材的纯度不低于99.999％，氧含量低于300ppm。
10.一种制备钨钛合金溅射靶材的系统，其特征在于，包括：
反应器，以及与反应器相连的各原料罐；其中
各原料罐与所述反应器连接的管路上均设置有控制阀。
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