[发明专利]一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110554831.3 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113289701A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 高荣科;王诗怡;周又强 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;G01N27/416
代理公司: 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 代理人: 张立荣
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电化学 检测 式微 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述免泵式微流控芯片包括芯片本体和固定贴附在芯片本体底部的氧化铟锡电极;所述芯片本体上设置有依次通过连接通道连接的进样区、预反应区、混合反应区、检测区、毛细管区、指压泵区;所述进样区和预反应区呈左右方向排布且靠近芯片本体的前端,所述检测区位于芯片本体的中部,所述毛细管区和所述指压泵区靠近芯片本体的后端;所述氧化铟锡电极为三电极体系,包含工作电极、对电极、参比电极。

2.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述进样区包括至少两个进样孔,且上下贯通所述芯片本体,所述进样孔的直径为2-6mm。

3.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述预反应区包括预反应槽,进样区的至少两个进样孔分别通过至少两个第一连接通道在预反应槽处汇合,预反应槽的直径为1-3mm。

4.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述混合反应区包括一条迂回弯曲的流体通道I,所述流体通道I的入口端通过第二连接通道与预反应槽的出口端相连接,所述流体通道I的出口端通过第三连接通道与检测区的入口端相连接。

5.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述检测区包括一条迂回弯曲的流体通道II,且相比于所述混合反应区的流体通道I,检测区流体通道II更长更紧密,所述流体通道II的入口端通过第三连接通道与混合反应区的出口端相连接,所述流体通道II的出口端通过第四连接通道与毛细管区的入口端相连接。

6.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述毛细管区包括多个毛细管分流通道,每个毛细管通道的轴向沿前后方向延伸,多个毛细管分流通道整体呈现一个扇形形状,多个毛细管分流通道在水平面内并排设置。

7.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述指压泵区为扇形形状,指压泵区内没有流体通道,在扇形形状外设置了通道以用来划定指压泵区,用于芯片封接前提前放置吸水棉。

8.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述芯片本体的高度为4-8mm,所述芯片本体前后方向的长度为45-55mm,所述进样孔的直径为2-6mm,所述流体通道I、流体通道II、多个毛细管通道、第一连接通道、第二连接通道、第三连接通道和第四连接通道的宽度为200-500um。

9.根据权利要求1所述的一种可用于电化学检测的免泵式微流控芯片,其特征在于,所述氧化铟锡电极为三电极,包含工作电极、对电极、参比电极,工作电极位于中间,对电极位于右边,参比电极位于左边,所述氧化铟锡电极是使用磁控溅射的方法在钠钙玻璃上镀上一层透明氧化铟锡膜加工制作成。

10.一种根据权利要求1-9任一项所述的可用于电化学检测的免泵式微流控芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)选用聚二甲基硅氧烷为原料,首先加工出免泵式微流控芯片的芯片胚料,所述芯片胚料的底部成型出对应的反应槽、流体通道、多个毛细管通道、第一连接通道、第二连接通道、第三连接通道和第四连接通道,然后在芯片胚料上对应位置打孔,形成免泵式微流控芯片的进样孔,打孔之后的芯片胚料作为芯片本体;

(2)取一片洁净的氧化铟锡电极备用;

(3)对芯片本体进行清洗洁净后烘干,清洗具体操作为:首先将芯片本体放入含有乙醇的容器内并置于超声清洗机内清洗5-8分钟,取出芯片本体后用去离子水冲洗芯片本体5-8次,然后将芯片本体放入含有异丙醇的容器内并置于超声清洗机内清洗5-8分钟,取出芯片本体后用去离子水冲洗芯片本体5-8次;

(4)在芯片本体的指压泵区放置好所需的吸水棉;

(5)将芯片本体进行等离子氧化90s,氧化完成后,立即将芯片本体与步骤(2)氧化铟锡电极进行牢固封接,即得到免泵式微流控芯片成品。

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