[发明专利]离子感应物质及使用其的离子感应膜以及该离子感应物质的制造方法

权利要求书

1.一种离子感应物质，其包含冠醚结构，所述冠醚结构包含下述式(a)所示的重复单元，

-CR¹R²-CR³X-O-…(a)

式中，x为在末端具有烷氧基甲硅烷基的有机基团，R¹、R²和R³为氢或烃基，

所述冠醚结构中的烷氧基甲硅烷基的一部分或全部任选被水解而构成硅烷醇基。

2.根据权利要求1所述的离子感应物质，其中，所述冠醚结构为包含源于第1化合物的部分的聚合物，所述第1化合物具有环氧基且在末端具有烷氧基甲硅烷基，所述聚合物是所述环氧基通过碱金属盐或第2族元素的盐开环而聚合成环状的聚合物。

3.根据权利要求1或2所述的离子感应物质，其中，所述式(a)中，R¹、R²和R³为氢，且X用下述式(b)表示，

-CH₂O-Y…(b)

式中，Y为在末端具有所述烷氧基甲硅烷基的一价的有机基团。

4.根据权利要求2所述的离子感应物质，其中，所述碱金属盐或第2族元素的盐的阳离子为锂离子、钠离子和钾离子中的任意种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的离子感应物质，其中，所述式(a)的重复次数为4以上且6以下。

6.一种离子感应膜，其中，在权利要求1～5中任一项所述的离子感应物质中，源于所述烷氧基甲硅烷基的部分构成硅氧烷键。

7.根据权利要求6所述的离子感应膜，其中，所述硅氧烷键由源于所述冠醚结构中的烷氧基甲硅烷基的部分和源于下述式(c)所示的化合物的烷氧基甲硅烷基的部分构成，

R⁴-Z…(c)

式中，R⁴为一价的烃基，Z为在末端具有烷氧基甲硅烷基的一价的有机基团。

8.根据权利要求7所述的离子感应膜，其中，源于所述式(c)中的Z的部分的摩尔数相对于源于所述式(a)中的X的部分的摩尔数与源于所述式(c)中的Z的部分的摩尔数之和的比为0.9以下。

9.根据权利要求7或8所述的离子感应膜，其中，源于所述X中的烷氧基的部分的摩尔数与源于所述Z中的烷氧基的部分的摩尔数之和相对于源于所述式(a)中的X的部分的摩尔数与源于所述式(c)中的Z的部分的摩尔数之和的比为2.00以上且2.90以下。

10.一种离子感应物质的制造方法，其包括：

准备使碱金属盐或第2族元素的盐溶解于包含具有环氧基且在末端具有烷氧基甲硅烷基的第1化合物的液体而成的溶解液的工序；

通过将所述溶解液静置或加热而形成固形物的工序；以及

在所述静置或加热的工序后将所述固形物浸渍于水中，在除去所述水后使所述固形物干燥的工序。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述液体还包含具有烃基且在末端具有烷氧基甲硅烷基的第2化合物。