[发明专利]一种用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路有效
申请号: | 202110555766.6 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113315351B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 潘尚智;史敬祥;宫金武;查晓明 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/088;H02M1/096;H02M3/155;H02M3/158 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 彭艳君 |
地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电平 拓扑 阵列 驱动 电路 | ||
本发明涉及电力电子技术领域,具体涉及一种用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路,包括两路辅助供电电源、自举驱动芯片、自举电容、主自举二极管和辅助自举二极管;主自举二极管采用级联连接结构,阳极连接低一级驱动芯片供电电源,阴极连接于所驱动的高端驱动芯片自举电容;辅助自举二极管采用直连结构,阳极连接至辅助供电电源,阴极连接至所驱动的高端驱动芯片自举电容;每级驱动芯片的主自举二极管和辅助自举二极管采用共阴极接法,构成阵列自举二极管网络。该阵列自举驱动电路无需增加额外的辅助供电电源,仅通过增加辅助自举二极管实现对自举电容的多回路供电,从而缓解高端驱动芯片电压跌落现象,实现对高端驱动芯片的可靠供电。
技术领域
本发明属于电力电子技术领域,特别涉及一种用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路。
背景技术
多电平拓扑电路可以减小功率开关管的电压应力、提高输出电流波形质量、减小无源器件体积,被广泛应用于高压大功率场合,如光伏发电、直流输电、高压直挂储能系统等。近年来,多电平拓扑被进一步用于低压领域,因为该拓扑可以显著减小滤波电感等无源器件体积,优化主回路开关管器件的选型,从而大幅提高变换器的效率和功率密度。然而,实现多电平输出所需要的功率开关管大部分均为浮动开关,即驱动电压没有固定的参考地电位,需要根据功率开关管的开关状态进行电位偏移,因此限制了多电平技术的发展。
针对多电平拓扑的驱动问题,目前国内外的解决方案主要分为两种:一是采用隔离电源供电,为每一个功率开关管提供一路隔离电源,这种方法供电可靠,但需要额外的供电电源,且效率较低、成本高昂,因而并不实用;另一种方法是采用级联自举驱动方案,该方案是传统自举驱动方案的改进,各驱动电路采用级联连接,由低一级自举电容为高端驱动芯片供电,该方法虽然减少了辅助电源需求,但由于自举二极管级联,每一级自举电路均会产生一定的电压损失,从而造成高端驱动芯片供电电压跌落的现象,当供电电压低于驱动芯片的欠压保护阈值时,驱动芯片将停止工作。
发明内容
针对背景技术存在的问题,本发明提供一种多电平拓扑的栅极自举驱动电路。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:一种用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路,包括N电平电路、两路辅助供电电源、2(N-1)个自举驱动芯片、2(N-1)个自举电容、2(N-2)个主自举二极管和2(N-3)个辅助自举二极管,N为正整数;
2(N-2)个主自举二极管采用级联连接结构,阳极连接低一级驱动芯片供电电源,阴极连接于所驱动的高端驱动芯片自举电容;
2(N-3)个辅助自举二极管采用直连结构,阳极连接至辅助供电电源,阴极连接至所驱动的高端驱动芯片自举电容;
每级驱动芯片的主自举二极管和辅助自举二极管采用共阴极接法,构成阵列自举二极管网络。
在上述用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路中,阵列自举二极管网络根据主回路工作状态切换驱动供电回路;
所驱动开关管低一级的开关管开通,主自举二极管工作,低一级驱动芯片的自举电容向高端自举电容供电;
所驱动开关管至最低端开关管全部开通,辅助自举二极管工作,辅助供电电源向高端自举电容供电。
在上述用于多电平拓扑的阵列自举驱动电路中,N电平电路包括上桥臂和下桥臂,上桥臂包括N-1个功率开关管,下桥臂包括N-1个功率开关管;两路辅助电源的其中一路辅助电源连接于阵列自举电路直流侧负极,即主回路下桥臂最低端功率开关管,经阵列自举二极管网络,实现对下桥臂所有驱动芯片供电;另一路辅助电源连接至桥臂输出节点,即主回路上桥臂最低端功率开关管,经阵列自举二极管网络,实现对上桥臂所有驱动芯片供电。
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