[发明专利]一种Ag/[SnS2 有效
| 申请号： | 202110556536.1 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113328036B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 坚佳莹;赵婷;常洪龙;董芃凡;冯浩;坚增运 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/18;C23C14/24 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ag sns base sub | ||
1.一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述Ag/[SnS2/PMMA]/Cu阻变存储器包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极；所述的衬底为玻璃衬底；所述的底电极为Ag，电极的厚度为100～300nm；顶电极为Cu，电极的厚度为100～300nm，直径250μm；所述的阻变层材料为SnS2/PMMA复合薄膜；
所述的方法步骤为：
1)将硫代乙酰胺、五水四氯化锡溶解在去离子水中，滴加冰乙酸，搅拌均匀直至形成透明溶液后放入反应釜内；
2)维持反应釜温度150～200℃，进行水热反应6～24h；
3)反应结束后自然冷却至室温，用去离子水和无水乙醇反复超声洗涤3-5次后离心，将样品在80℃的真空条件下烘干，即可得到SnS2纳米片；
4)称取步骤3)制得的1～2g SnS2加入10～100mL的N-N二甲基甲酰胺中，采用超声法制备SnS2悬浮液；
5)采用真空蒸发镀膜法在玻璃衬底上蒸镀厚度为100～300nm的Ag底电极；
6)将步骤4)制得的SnS2悬浮液采用真空抽滤法在底电极上制备SnS2薄膜，并采用旋转涂胶法在SnS2薄膜表面旋涂一层PMMA；
7)在PMMA薄膜上表面真空蒸镀直径250μm、厚度100～300nm的Cu作为顶电极。
2.根据权利要求1所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤1)中五水四氯化锡与硫代乙酰胺的摩尔比为1:2.5，去离子水体积为50～150mL，冰乙酸体积为1～10mL。
3.根据权利要求1或2所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤4)中超声法的时间为1～4h，超声功率为150～250W。
4.根据权利要求3所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤5)中真空蒸发镀膜法的条件为：蒸镀速率为本底真空小于5×10-4Pa、蒸镀功率为130～160W。
5.根据权利要求4所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤6)中SnS2悬浮液体积为0.5～3mL，旋转涂胶法的转速为4000～8000rpm，旋涂时间为60～120s。
6.根据权利要求5所述的一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于：步骤7)中，所述真空蒸镀的条件为：蒸镀速率为本底真空小于5×10-4Pa、蒸镀功率为160～190W。
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